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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Qg-栅极电荷: 4.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 3.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.9 ns
3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13.5 ns
典型接通延迟时间: 2.6 ns
单位重量: 8 mg
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