品牌:英飞凌
电流:400A
电压:1200V
工作温度(Max):125 ℃
工作温度(Min):-40 ℃
安装方式:螺丝型
包装方式:标准封装
货期期:2天
库存:600
发货地:江苏苏州
苏州银邦电子科技有限公司:
代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及
良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的企业形象,同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定
互信的合作关系,也是众多电子厂商(富士、三菱、英飞凌、西门康,艾塞斯,尼尔,ABB,西玛,三社、宏微等)
的诚信代理商。通过多年的实战经验,公司积累了坚实的功率半导体应用知识,为电力拖动、风力发电、电焊机、
电力机车等行业提供完善的解决方案,为客户提供技术支持! 代理品牌:
1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品;
2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品;
3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板;
4、巴斯曼(BUSSMANN),西门子,日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等;
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,
开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的
变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。简单来说,IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP型晶体管,
它的简化等效电路如图(b)所示,图中的RN为PNP晶体管基区内的调制电阻。从该等效电路可以清楚地看出,
IGBT是用晶体管和MOSFET组成的达林顿结构的复合器件。冈为图中的晶体管为PNP型晶体管,MOSFET为N沟道场效应晶体管,所以这种结构的IGBT
称为N沟道IIGBT,其符号为N-IGBT。类似地还有P沟道IGBT,即P- IGBT。
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