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IPB120P04P4L03ATMA1

发布时间:2022/8/1 10:06:00 访问次数:76

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 340μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
234 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB120

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