类别
分立半导体产品
晶体管-FET，MOSFET-单个
制造商
VishaySiliconix
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
ProductStatus
在售
FET类型
P通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
25°C时电流-连续漏极(Id)
1.8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）
500毫欧@1.1A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）
4V@250μA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）
12nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）
270pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），3.1W（Tc）
工作温度
-55°C~150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
IRFL9014
TPD4204F 21+
TJ150F04M3L 14+
TW8845AT-LB1-GE 21+
R7F7015433AFE-C 20+
NP80N04NUG-S18-AY
