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晶体管NDH8304P FET

发布时间:2022/8/22 10:28:00 访问次数:60

NDH8304P介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 停產

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 70 毫欧 @ 2.7A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 23nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 865pF @ 10V

功率 - 值 800mW

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SMD,鸥翼

供应商器件封装 SuperSOT™-8

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel)

、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)

、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)

、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、

仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

晶体管的发明,早可以追溯到1929年,当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的。但是,限于当时的技术水平,制造这种器件的材料达不到足够的纯度,而使这种晶体管无法制造出来。

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