类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
78 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 12μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
716 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
31W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD78CN10
FS32K146UAT0VLQT
FX32K148HAT0MLQT
XAZU11EG-1FFVF1517Q
MT40A512M16LY-062E AAT:E
MT25QL02GCBB8E12-0AAT
MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F
MT29F4G01ABAFD12-AAT:F
HW8076502989700S R3U6
VND5T100AJTR-E
VND5T035AKTR-E
