IPD100N04S4L02ATMA1

IPD100N04S4L02ATMA1

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 126 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 55 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD100N04S4L-02 SP001238380
单位重量: 330 mg