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IPB180N04S4-H0

发布时间:2022/11/5 16:23:00 访问次数:49 发布企业:深圳市昌和盛利电子有限公司

IPB180N04S4-H0


型号:IPB180N04S4-H0

品牌:英飞凌
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-263-7
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40V
Id-连续漏极电流:180A
RdsOn-漏源导通电阻:900uOhms
Vgs-栅极-源极电压:20V
Vgsth-栅源极阈值电压:2V
Qg-栅极电荷:225nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+175C
Pd-功率耗散:250W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
高度:4.4mm
长度:10mm
系列:OptiMOS-T2
晶体管类型:1N-Channel
宽度:9.25mm
下降时间:49ns
上升时间:24ns
典型关闭延迟时间:50ns
典型接通延迟时间:44ns
单位重量:1.600g



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