一般说明：GD32F103TBU6
GD32F103TBU6器件是基于 Arm® 的 32 位通用微控制器Cortex®-M3 RISC 内核在处理能力方面具有最佳比率，降低了功耗
消费和外设。 Cortex®-M3 是下一代处理器内核与嵌套向量中断控制器 (NVIC)、SysTick 计时器和高级调试支持。
GD32F103TBU6器件包含 Arm® Cortex®-M3 32 位处理器内核，可运行在 108 MHz 频率下，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3 MB 的片上闪存和高达 96 KB 的 SRAM 存储器。一个广泛的连接到两条 APB 总线的一系列增强型 I/O 和外围设备。设备提供最多三个 12 位 ADC，最多两个 12 位 DAC，最多十个通用 16 位定时器，两个基本定时器加上两个PWM高级定时器，以及标准和高级通信接口：多达三个 SPI、两个 I2C、三个 USART、两个 UART、两个 I2S、一个 USBD、一个 CAN 和一个数据输出。该器件采用 2.6 至 3.6 V 电源供电，温度范围为 –40 至 +85 °C温度范围。几种省电模式提供了最大程度的灵活性唤醒延迟和功耗之间的优化，一个特别重要的低功率应用中的考虑。上述特点使GD32F103TBU6器件适用于广泛的应用，特别是在工业控制、电机驱动、电力监控和报警系统等领域，消费类和手持设备、POS、车载 GPS、可视对讲、PC 外围设备和很快。
功能说明：GD32F103TBU6
3.1. Arm® Cortex®-M3 内核
Cortex®-M3 处理器是用于嵌入式系统的最新一代 Arm® 处理器。
它的开发目的是提供一个满足 MCU 需求的低成本平台
实施，具有减少的引脚数和低功耗，同时提供
出色的计算性能和对中断的高级系统响应。
32 位 Arm® Cortex®-M3 处理器内核
高达 108 MHz 的工作频率
单周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中断控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定时器
Cortex®-M3 处理器基于 ARMv7 架构，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系统外围设备也由
Cortex®-M3：GD32F103TBU6
内部总线矩阵连接 I-Code 总线、D-Code 总线、系统总线、Private
外设总线 (PPB) 和调试访问。
∎ 嵌套向量中断控制器 (NVIC)。
闪存补丁和断点 (FPB)。
∎ 数据观察点和跟踪 (DWT)。
仪器跟踪宏单元 (ITM)。
嵌入式跟踪宏单元 (ETM)。
串行线 JTAG 调试端口 (SWJ-DP)。
跟踪端口接口单元（TPIU）。
内存保护单元（MPU）。
3.2.片上存储器
高达 3072 KB 的闪存
高达 96 KB 的 SRAM
Arm® Cortex®-M3 处理器采用哈佛架构，可以使用独立的
总线来获取指令和加载/存储数据。 3072 KB 内部闪存和 96 KB
内部 SRAM 最多可用于存储程序和数据，均在 CPU 上访问（R/W）
时钟速度为零等待状态。表2-4。GD32F103TBU6内存映射显示
GD32F103TBU6系列器件的内存映射，包括代码、SRAM、外设和
其他预定义区域
3.3.时钟、复位和电源管理
内部 8 MHz 工厂微调 RC 和外部 4 至 16 MHz 晶振
内部 40 KHz RC 校准振荡器和外部 32.768 KHz 晶体振荡器
集成系统时钟锁相环
2.6 至 3.6 V 应用电源和 I/O
电源监控器：POR（上电复位）、PDR（掉电复位）和低电压
检测器 (LVD)
时钟控制单元提供一系列频率和时钟功能。这些包括一个
内部 8M RC 振荡器（IRC8M），一个高速晶振（HXTAL），一个低速晶振
内部 40K RC 振荡器（IRC40K）、低速晶体振荡器（LXTAL）、锁相器
环路 (PLL)、HXTAL 时钟监视器、时钟预分频器、时钟多路复用器和时钟门控
电路。 AHB、APB2 和 APB1 域的频率可以由每个域配置
预分频器。 AHB、APB2 和 APB1 域的最大频率为 108 MHz/108
兆赫/54兆赫。参见图 2-8。GD32F103TBU6时钟树了解详情。
GD32F103TBU6复位控制包括对三种复位的控制：电源复位、系统复位
重置和备份域重置。系统复位复位处理器内核和外设
除 SW-DP 控制器和备份域外的 IP 组件。上电复位
(POR) 和掉电复位 (PDR) 始终处于活动状态，并确保正常运行
从/降至 2.6 V。当 VDD 低于指定值时，器件保持复位模式
临界点。嵌入式低电压检测器 (LVD) 监控电源，比较
它达到电压阈值，并产生一个中断作为警告信息，用于引导
单片机进入安全。
供电方案：
VDD 范围：2.6 至 3.6 V，外部电源用于 I/O 和内部调节器。
通过 VDD 引脚从外部提供。
VSSA、VDDA 范围：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模拟电源、复位模块、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必须分别连接到 VDD 和 VSS。
VBAT 范围：1.8 至 3.6 V，RTC 电源，外部时钟 32 KHz 振荡器和
当 VDD 不存在时备份寄存器（通过电源开关）。
3.4.启动模式
启动时，引导引脚用于选择三个引导选项之一：
从主闪存启动（默认）
从系统内存启动
从片上 SRAM 启动
引导加载程序位于内部引导 ROM 存储器（系统存储器）中。它用于
使用 USART0（PA9 和 PA10）重新编程闪存，如果设备是
GD32F103xF/G/I/K、USART1（PA2 和 PA3）也可用于引导功能。它还可以用于传输和更新闪存代码、数据和向量表部分。
默认情况下，选择从闪存的 bank 0 启动。它还支持开机
通过在选项字节中设置一个位，从闪存的 bank 1 中读取。
详细参数：GD32F103TBU6
参数名称 参数值
生命周期联系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
订货包装代码 QFN36
包装说明 QFN-36
达到合规代码未知
风险等级 5.83
最大速度 (MHz) 108
内存（字节） 闪存 128K
内存（字节） SRAM 20K
I/O 高达 26
定时器 GPTM（32 位）
定时器 GPTM (16 位) 3
定时器高级 TM (16bit) 1
Timer Basic TM (16bit)
定时器 SysTick (24 位) 1
定时器 WDG 2
定时器 RTC 1
连通性 USART
连接 I2C 1
连接 SPI 1
连接 USB 2 FS 1
连接 I2S
连通性比较
连接运算放大器
模拟接口 12 位 ADC 单元 (CH) 2(10)
模拟接口 12 位 DAC 单元
封装 QFN36
以下物料均有现货库存：GD32F103TBU6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
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GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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