BSC005N03LS5ATMA1

BSC005N03LS5ATMA1

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8-FL
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 433 A
Rds On-漏源导通电阻: 630 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 59 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 16.2 ns
正向跨导 - 最小值: 300 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 20.7 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 48.4 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: BSC005N03LS5 SP004819078