技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
PowerPAK SO-8DC
晶體管極性:
N-Channel
通道數:
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
80 V
Id - C連續漏極電流:
153 A
Rds On - 漏-源電阻:
2.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
4 V
Qg - 閘極充電:
28 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 175 C
Pd - 功率消耗 :
150 W
通道模式:
Enhancement
系列:
SiDR5802EP
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
品牌:
Vishay Semiconductors
下降時間:
13 ns
互導 - 最小值:
49 S
產品類型:
MOSFET
上升時間:
16 ns
SIDR5802EP-T1-RE3
发布时间:2023/4/3 9:34:00 访问次数:48 发布企业:深圳市科雨电子有限公司
同公司其他新闻- 03-14M29L1001
- 03-1461300611821
- 03-14M29504/04-4040
- 03-14HDP24-24-21PN
- 03-14VENT-MS1NMS-O8001
- 03-14M29K1000
- 06-10EZR32LG230F256R68G
- 06-10CC2652P1FRGZR
- 06-10CC1352P1F3RGZT
- 06-10CC3235MODSM2MOBR
- 06-10EZR32LG230F64R63G-C0
- 06-10EZR32LG230F256R60G-C0
