制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-247-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
650 V
Id-连续漏极电流:
68.5 A
Rds On-漏源导通电阻:
37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3.5 V
Qg-栅极电荷:
300 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 W
IPW65R041CFD
发布时间:2023/6/27 10:08:00 访问次数:50
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