IRF540N IRF540NPBF INFINEON英飞凌MOS 原厂原装
IRF540N IRF540NPBF HEXFET功率MOSFET
型号：IRF540N IRF540NPBF
厂商：INFINEON英飞凌/IR
封装：TO220
包装：1000PCS/包装
批次：新年份
类型：MOS
描述：HEXFET功率MOSFET
丝印（打字）：IRF540N
备注：IR原厂原装
替代：
产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 47.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
IRF540NPBF描述
IRF540NPBF高级HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术，以实现每个硅面积的极低导通电阻。 IRF540这种优点，结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种非常高效可靠的器件，可用于各种应用。
IRF540NPBF的TO-220封装在所有商业工业应用中是普遍优先的，功耗级别约为50瓦。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业的广泛接受。
IRF540NPBF特性
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt等级
175°C工作温度
快速切换
完全击穿等级
无铅
IRF540NPBF
IRF540ZPBF
IRF540NSTRLPBF
IRF630NPBF
IRF640NPBF
IRF640NSTRLPBF
IRF200P222
IRF200S234
IRF2804PBF
IRF7103TRPBF
IRF7314TRPBF
IRF7341TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF7853TRPBF
IRF8788TRPBF
IRF9321TRPBF
IRF9388TRPBF
IRF9540NPBF
IRFB38N20DPBF
IRFB3004PBF
IRFB3077PBF
IRFB3206PBF
IRFB3207PBF
IRFB3207ZPBF
IRFB3306PBF
IRFB3307ZPBF
IRFB3607PBF
IRFB4019PBF
IRFB4020PBF
IRFB4110PBF
IRFB4115PBF
IRFB4127PBF
IRFB4227PBF
IRFB4229PBF
IRFB4310ZPBF
IRFB4321PBF
IRFB4332PBF
IRFB4410ZPBF
IRFB4615PBF
IRFB4620PBF
IRFB5615PBF
IRFB7434PBF
IRFB7437PBF
IRFB7440PBF
IRFB7534PBF
IRFB7537PBF
IRFB7540PBF
IRFB7730PBF
IRFB7734PBF
