IRF7410 IRF7410TRPBF INFINEON英飞凌/IR功率MOS 原厂原装
IRF7410 IRF7410TRPBF -12V单P沟道HEXFET功率MOSFET
型号：IRF7410 IRF7410TRPBF
厂商：INFINEON英飞凌/IR
封装：SOP8
包装：4000PCS/盘
批次：新年份
类型：MOS
描述：-12V单P沟道HEXFET功率MOSFET
丝印（打字）：F7410
备注：IR原厂原装
替代：
产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 91 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg
IRF7410TRPBF描述
IRF7410TRPBF这些P沟道HEXFET国际整流器的功率MOSFET利用先进的处理技术实现每个硅面积极低的导通电阻。 IRF7410TRPBF这一优点为设计人员提供了一种非常高效的器件，用于电池和负载管理应用中。
IRF7410TRPBF的SO-8通过定制的引线框架进行了改进，增强了热特性和多管芯功能，使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这些改进，可以在具有显着减少的板空间的应用中使用多个器件。 IRF7410TRPBF该封装设计用于气相，红外或波峰焊接技术。
IRF7410TRPBF优点
符合RoHS标准
行业领先的质量
行业标准引脚
P沟道MOSFET
IRF7410TRPBF
IRF7413TRPBF
IRF7413ZTRPBF
IRF7416TRPBF
IRF7424TRPBF
IRF7451TRPBF
IRF7456TRPBF
IRF7470TRPBF
IRF7509TRPBF
IRF7831TRPBF
IRF7832TRPBF
IRF7842TRPBF
IRF7855TRPBF
IRF8707TRPBF
IRF8736TRPBF
IRF9310TRPBF
IRF9317TRPBF
IRF9530NPBF
IRF9530NSTRLPBF
IRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRRPBF
IRFR024NTRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR1205TRPBF
IRFR3410TRPBF
IRFR3607TRPBF
IRFR3710ZTRPBF
IRFR3910TRPBF
IRFR4510TRPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR4620TRLPBF
IRFR5305TRLPBF
IRFR5305TRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR5505TRPBF
IRFR6215TRPBF
IRFR7540TRPBF
IRFR9024NTRPBF
IRFR9120NTRPBF
IRFR13N20DTRPBF
