制造商:
Toshiba
产品种类:
MOSFET
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23F-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
20 V
Id-连续漏极电流:
6 A
Rds On-漏源导通电阻:
29.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
300 mV
Qg-栅极电荷:
12.8 nC
最大工作温度:
+ 150 C
