制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: GaN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C3
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 12 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: SP000013516 SPB02N60C3ATMA1
单位重量: 4 g
NRVBSS26T3G
NRVBSS24T3G-VF01
TPSMA27AHE3_B/I
TPSMA27AHE3_B/I
LL4150GS18
LL4150GS18
BC817
MC7824BTG
MC7824CTG
1SMB36CAT3G
GBL10-E3/45
GBL10-E3/45
LM385BLP-1-2
LM385Z-1.2/NOPB
LM385Z-2.5/NOPB
LM385MX-1.2/NOPB
LM385MX-1.2/NOPB
LM385MX-2.5/NOPB
LM385BLP-1-2
LM385MX-2.5/NOPB
M2045S-E3/4W
