制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 135 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 143 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品: HEXFET Power MOSFETs
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
SIHB33N60E-GE3
ST715PU33R
STP80NF55-06
LM2743MTCX/NOPB
SY100EPT21LKG
WYO103MCMCF0KR
LM201ADT
CSD16340Q3
BTA06-600BRG
BTA06-600TWRG
BTA06-800BWRG
