UCC27211DR特性
可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
最大引导电压 120V 直流
4A 吸收,4A 源输出电流
0.9Ω 上拉和下拉电阻
输入引脚能够耐受 -10V 至 20V 的电压,并且与电源电压范围无关
晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)
7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载时)
短暂传播延迟时间(典型值 18ns)
2ns 延迟匹配
用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
-40℃ 至 140℃ 的额定温度范围
UCC27211DR应用
针对电信,数据通信和商用的电源
半桥和全桥转换器
推挽转换器
高电压同步降压转换器
两开关正激式转换器
有源箝位正激式转换器
D 类音频放大器
![](http://uploadfile.51dzw.com/CompanyFile/202404/20240426104157035703.jpg)
UCC27211DR说明
UCC27211DR驱动器是基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET 驱动器,但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω,因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在,输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。
UCC27211DR的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -18V 电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211DR(TTL 输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。
由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。
产品属性 属性值
制造商: Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
产品: MOSFET Gate Drivers
类型: High-Side, Low-Side
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 4 A
电源电压-最小: 8 V
电源电压-最大: 17 V
上升时间: 7.2 ns
下降时间: 5.5 ns
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 140 C
系列: UCC27211
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Texas Instruments
工作电源电压: 7.8 V to 20 V
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 76 mg
TPS54610PWPR
TPS54622RHLR
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UCC27211DR