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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 6.6 S
产品: Power MOSFET Modules
产品类型: MOSFET
上升时间: 24 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: X2-Class
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
单位重量: 2 g
IXFH130N15X3
IXFH140N20X3
IXFH150N25X3
IXFH150N30X3
IXFH170N15X3
IXFH170N25X3
IXFH180N20X3
IXFH220N20X3
IXFH240N15X3
IXFH34N65X3
IXFH36N60X3
