制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 210 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 kW
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 84 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
单位重量: 6 g
IXFT60N65X2HV
IXFT80N65X2HV
IXFX100N65X2
IXFX120N65X2
IXFY8N65X2
IXTA12N65X2
IXTA12N70X2
IXTA20N65X2
IXTA24N65X2
IXTA34N65X2
