制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 145 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 480 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
系列: IXTP300N04
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 55 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 2 g
IXFH26N100X
IXFH30N60X
IXFH30N85X
IXFH32N100X
IXFH40N85X
IXFH50N60X
IXFH50N85X
IXFH60N60X
IXFJ20N85X
IXFK32N100X
IXFK50N85X
