制造商: Transphorm
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS: 详细信息
商标: Transphorm
通道模式: Enhancement
下降时间: 7.2 ns
Id-连续漏极电流: 29 A
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
通道数量: 1 Channel
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Reel
封装: Cut Tape
Pd-功率耗散: 96 W
产品类型: GaN FETs
Qg-栅极电荷: 9 nC
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
上升时间: 6.2 ns
系列: Gen IV SuperGaN
50
子类别: Transistors
技术: GaN
商标名: SuperGaN
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 43.4 ns
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.7 V
DS1086HU-C02+T
LM2596S-3.3
DS1825U+T&R
LM2576SX-ADJ
LM2576S-ADJ
LM20343MHX/NOPB
OPA549T
DG411DY-T1-E3
MAX5442AEUB+T
MAX11202AEUB
LM2596T-5.0/NOPB
ATA6836C-PXQW
DS3902U-515+T
IP00C812A
DS1731U+T&R
LM3424MHX/NOPB
LM3424MH/NOPB
DS28CN01U-A00+T
LM2596SX-3.3
OPA541AP
