CAT24C512WI-GT3的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
CAT24C512WI-GT3
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
1032553805
零件包装代码
SOIC 8, 150 mils
包装说明
SOIC-8
针数
8
制造商包装代码
751BD
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Thailand
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
Factory Lead Time
4 weeks
风险等级
1.29
Samacsys Description
EEPROM,512kbit,64Kx8,1MHz I2C,SOIC8 ON Semiconductor CAT24C512WI-GT3 EEPROM Memory, 512kb, 400ns, 1.8 → 5.5 V 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-06-26 10:21:53
YTEOL
6
其他特性
100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)
0.4 MHz
数据保留时间-最小值
100
耐久性
1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节
1010DDDR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e4
长度
4.9 mm
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端子数量
8
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
串行总线类型
I2C
最大待机电流
0.000002 A
最大压摆率
0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
1.8 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)
5 ms
写保护
HARDWARE
本公司主营是二三极管，MOS管和逻辑芯片等，如果你这边有需要的话，可以添加上面的联系方式
CAT24C512WI-GT3 ON(安森美)ADF4351BCPZ ADI(亚德诺)
CY90F497GPMCR-GE1 Cypress(赛普拉斯)
SN65HVD234DR TI(德州仪器)
LMV321IDBVR TI(德州仪器)
LM317T NS(国半)
HI-8585PSI Holt Integrated Circuits Inc.
SG3525ADWR2G ON(安森美)
TLC6C598CQDRQ1 TI(德州仪器)
STM32F207ZET6 ST(意法)
STM32H753BIT6 ST(意法)
LMR14030SDDAR TI(德州仪器)
STW9N150 ST(意法)
LM35DZ TI(德州仪器)
MAX3232IPWR TI(德州仪器)
74HC165D Nexperia(安世)
STM32F030RCT6 ST(意法)
STM8S105C6T6 ST(意法)
AT89C2051-24PU Atmel(爱特梅尔)
STM32F072CBT6 ST(意法)
ADUM4160BRWZ ADI(亚德诺)
L9301-TR ST(意法)
FDMS86263P Fairchild(飞兆/仙童)
DAC8814ICDBR TI(德州仪器)
INA128UA TI(德州仪器)
CC2541F256RHAR ADI(亚德诺)
OPA2277U/2K5 TI(德州仪器)
TCAN1042DRQ1 TI(德州仪器)
STM32F446RCT6 ST(意法)
OPA2197IDR TI(德州仪器)
L7812CV ST(意法)
MC33063ADR2G ON(安森美)
BTS723GW TI(德州仪器)
STM32F446RET6 ST(意法)
XC7Z020-2CLG400I XILINX(赛灵思)
L9779WD-SPI-TR ST(意法)
MC33172DR2G ON(安森美)
KLM4G1FETE-B041 SAMSUNG(三星)
LM317LDR2G ST(意法)
STM32F429ZET6 ST(意法)
STM32H753IIT6 ST(意法)
STM32L432KCU6 ST(意法)
RTL8211E-VB-CG REALTEK(瑞昱)
TPS54340DDAR TI(德州仪器)
GD32F103RBT6 GD(兆易创新)
FSBB30CH60C ON(安森美)
MP1584EN-LF-Z MPS(美国芯源)
TLV62569DBVR TI(德州仪器)
ATXMEGA128D3-AU Microchip(微芯)
MK60DN512ZVMD10 NXP(恩智浦)
MPC8308CVMAGDA Freescale(飞思卡尔)
MKL25Z128VLK4 NXP(恩智浦)
HCPL-316J-500E Agilent(安捷伦)
PESD1CAN Nexperia(安世)
VNQ7040AYTR ST(意法)
M24M01-RMN6TP ST(意法)
STM32F302CBT6 ST(意法)
FT232RQ FTDI(飞特帝亚)
AD780BRZ ADI(亚德诺)
WM8960CGEFL/RV WOLFSON(欧胜)
TJA1043T NXP(恩智浦)
MK60FN1M0VLQ15 NXP(恩智浦)
STM32F429NIH6 ST(意法)
ATMEGA8A-PU Atmel(爱特梅尔)
TLV2381IDBVR TI(德州仪器)
TJA1042T/1J TI(德州仪器)
STM32L151CBT6A ST(意法)
OP2177ARZ ADI(亚德诺)
EP4CE10E22C8N ALTERA(阿尔特拉)
LM7301IM5 NS(国半)
GD32F303VET6 GD(兆易创新)
DP83848IVV TI(德州仪器)
MAX3232ESE+T Maxim(美信)
TPS7A6650QDGNRQ1 TI(德州仪器)
ADM3251EARWZ-REEL ADI(亚德诺)
SN65HVD232DR TI(德州仪器)
TPIC6B595DWR TI(德州仪器)
AD8676ARZ ADI(亚德诺)
M24M02-DRMN6TP ST(意法)
MCIMX535DVV1C NXP(恩智浦)
ISO1050DWR TI(德州仪器)
THS6222IRHFR TI(德州仪器)
VNH5050ATR-E ST(意法)
STM32H750XBH6 ST(意法)
L200CV ST(意法)
STM32F469IIT6 ST(意法)
AMC1301DWVR TI(德州仪器)
AT24C08C-SSHM-T Microchip(微芯)
MC9S12A64CFUE Freescale(飞思卡尔)
2SK3557-7-TB-E SANYO(三洋半导体)
TLP291-4 TOSHIBA(东芝)
LM2674MX-ADJ NS(国半)
ADAU1761BCPZ ADI(亚德诺)
AM3354BZCZD80 TI(德州仪器)
STM32F412RET6 ST(意法)
ADM2682EBRIZ ADI(亚德诺)
MCIMX535DVP1C2 NXP(恩智浦)
ADM2483BRWZ-REEL TI(德州仪器)
SN74AVC4T245PWR TI(德州仪器)
E-L9637D013TR ST(意法)
BQ79616PAPRQ1 TI(德州仪器)
XA6SLX4-2CSG225Q XILINX(赛灵思)
KSZ9031RNXIA Microchip(微芯)
MPX5500DP NXP(恩智浦)
10M08DAF256I7G ALTERA(阿尔特拉)
MSP430F149IPMR TI(德州仪器)
CC2530F256RHAR TI(德州仪器)
TMS320F28335PTPQ Burr-Brown(TI)
TJA1043T/1J NXP(恩智浦)
VNH7040AYTR TI(德州仪器)
PD55015-E ST(意法)
W25N01GVZEIG WINBOND(华邦)
K4A4G165WF-BCTD SAMSUNG(三星)
STM8L151G6U6 ST(意法)
SN65176BDR TI(德州仪器)
TRS3232EQPWRQ1 TI(德州仪器)
RTL8201F-VB-CG REALTEK(瑞昱)
MCP2551-I/SN MIC(昌福)
LM324N NS(国半)
SPC584B70E3EHC0X ST(意法)
AD9755ASTZ ADI(亚德诺)
MAX3232CSE SIPEX(西伯斯)
