IRF530NSTRLPBF Infineon英飞凌NMOS 100V 17A
IRF530NSTRLPBF是一款由Infineon（英飞凌）制造的晶体管芯片，具体为N沟道MOSFET。以下是关于IRF530NSTRLPBF的详细解析：
IRF530NSTRLPBF基本信息
制造商：Infineon（英飞凌）
类型：N沟道MOSFET
电压与电流能力：
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id) (25°C时)：17A
封装：TO-263-3
工作温度：-55°C至175°C（TJ）
IRF530NSTRLPBF主要规格参数
栅源极阈值电压：2V @ 250uA
漏源导通电阻：100mΩ @ 9A, 10V（不同条件下可能有所变化）
最大功率耗散：
Ta=25°C时：3.8W
Tc（特定条件下）时：高达70W
其他特性：
雪崩能效等级(Eas)：150 mJ
外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.12 Ω（在某些条件下）
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRF530NSTRLPBF应用领域
IRF530NSTRLPBF因其高电压与电流能力、低导通电阻、快速开关能力及高可靠性，在多个领域有广泛应用：
电源管理系统：用于高效的开关电源、电池管理系统以及DC-DC转换器中，提升系统的响应速度和能源转换效率。
汽车电子系统：驱动高功率的电动机，控制汽车电子控制单元(ECU)及其他需要高耐压和高电流的电子设备。
可再生能源技术：在太阳能和风能系统中，特别是逆变器和能量转换设备中，提高系统对能量的处理能力和整体效率。
高频通信设备：由于其极高的开关速率，适用于无线电发射器和接收器等高频通信领域，确保信号的快速准确传输。
IRF530NSTRLPBF是一款功能强大的N沟道MOSFET，凭借其优异的电气性能和高可靠性，在多个工业和技术领域发挥着重要作用。无论是传统工业应用还是新兴技术，IRF530NSTRLPBF都是一个值得信赖的选择。
产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 37 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 9.2 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
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