24AA02E48T-I/OT的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
24AA02E48T-I/OT
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
1847200608
零件包装代码
SOT-23
针数
5
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Thailand
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
Factory Lead Time
9 weeks 1 day
风险等级
1.4
Samacsys Description
2K 256X8 1.8V Ser.EEPROM,24AA02E48T-I/OT
Samacsys Manufacturer
Microchip
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
10
其他特性
ALSO OPERATES AT 1.7V TO 2.5V @0.1MHZ
最大时钟频率 (fCLK)
0.4 MHz
数据保留时间-最小值
200
耐久性
1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节
1010XXXR
JESD-30 代码
R-PDSO-G5
JESD-609代码
e3
长度
2.9 mm
内存密度
2048 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
5
字数
256 words
字数代码
256
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256X8
输出特性
OPEN-DRAIN
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LSSOP
封装等效代码
TSOP5/6,.11,37
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）
260
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
TS 16949
座面最大高度
1.45 mm
串行总线类型
I2C
最大待机电流
0.000001 A
最大压摆率
0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
2.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子节距
0.95 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
1.55 mm
最长写入周期时间 (tWC)
5 ms
写保护
HARDWARE
24AA02E48T-I/OT 串行EEPROM存储器的特性及应用
引言
在现代电子设备中，存储器的类型和特性对于功能的实现至关重要。 EEPROM（电可擦可编程只读存储器）是一种具有电气可擦性和可编程性的固态存储器，广泛应用于各种嵌入式系统中。24AA02E48T-I/OT是Microchip公司推出的一款串行EEPROM，它在数据存储、读取速度、功耗等多个方面具备独特的优势，使其在物联网、消费电子、工业控制等领域获得了广泛应用。
1. 硬件特性
24AA02E48T-I/OT的存储容量为2Kb（256字节），通过I?C接口进行通信。该器件的工作电压范围为1.7V至5.5V，适配各种不同的电源需求。它的封装形式通常为8引脚的SOIC封装，适合于面向空间、功耗和成本限制的设计。
此外，24AA02E48T-I/OT的I?C通信协议使其具备多主设备及多从设备的通信能力，能够与多种其他设备进行连接。这一特性使得系统设计能够更加灵活，支持更多的接口需求。
2. 存储与数据管理
该EEPROM的每个字节都能够单独擦除和重写，提供了极高的数据更新灵活性。其写入周期为5ms，相比传统的EEPROM在数据更新速度上更具优势，这使得24AA02E48T-I/OT适合用于频繁的数据写入场景。
数据存储的持久性是EEPROM的核心优势之一。即使在电源关闭的情况下，数据仍能够长期保存，耐久性可达10年以上，且在写入次数上可达到约100,000次。这使得该器件成为日志记录、配置保存等需要持久数据保存的应用理想选择。
3. 低功耗设计
在现代电子设计中，低功耗是一个重要的考量因素。24AA02E48T-I/OT在待机状态下的电流消耗仅为1μA，这对于电池供电的设备尤为重要。同时，在数据传输过程中，其工作电流也维持在低水平，为长时间运行的设备提供了可行的能源解决方案。
4. 应用领域
24AA02E48T-I/OT因其独特的特性而在多种应用领域中发挥重要作用。在消费电子产品中，智能家居设备、手持设备以及可穿戴设备等常常依赖于它来保存用户设置和配置信息。通过EEPROM，用户可随时修改设备参数，而不丢失重要数据。
在工业控制领域，24AA02E48T-I/OT被广泛用于生产设备和机器的嵌入式系统。它可以存储操作数据和设备状态信息，从而帮助工程师监控生产过程，并优化参数设置。在这种场合下，存储器的高耐久性和低功耗特性使其成为理想选择。
此外，物联网（IoT）设备的迅猛发展也为EEPROM的使用提供了更多可能性。设备往往需要保存设备ID、配置信息及传感器数据，24AA02E48T-I/OT凭借其低功耗及稳定存储特性得以满足这类应用的需求。例如，智能温控器、环境监测设备及智能电表等，都需要可靠的数据存储解决方案。
5. 功能扩展及未来发展
随着技术日新月异，24AA02E48T-I/OT的特性和功能也在不断演变。未来，可能会在增强数据安全性方面进行更多努力，如通过数据加密和安全访问协议来保护存储内容。此外，优化通信协议以提高速度和降低延迟也是一个潜在的发展方向。
在器件集成度方面，随着微电子技术的发展，EEPROM有望与其他系统功能集成，例如与更强大的处理器或传感模块一体化，从而实现更复杂的应用功能。这种集成将不仅增强系统性能，还将使得设备的体积更小，为便携式应用提供可能。
6. 安全性与数据完整性
在数据存储的安全性方面，24AA02E48T-I/OT采取了一系列措施以保护信息。一方面，EEPROM本身具有抗辐射及电磁干扰的能力，确保数据不受外力影响；另一方面，使用I?C接口通信时，可通过取消无用的从属设备应答，减少数据泄露风险。
数据完整性也是EEPROM设计中的关键要素。许多现代EEPROM支持数据校验机制，确保存储的数据在读取和写入过程中的准确性。这一功能在对数据准确性要求较高的应用中尤为重要，例如医疗设备和金融服务。
在面对不断增长的数据安全威胁时，开发者需关注相应的安全标准，确保存储解决方案能够满足不断变化的市场需求，并力求在安全性与性能之间找到平衡点。
24AA02E48T-I/OT
Microchip(微芯)
TPS71533DCKR
TI(德州仪器)
TS3DV642A0RUAR
TI(德州仪器)
PIC18F45K22-I/PT
Microchip(微芯)
AM3352BZCZA100
TI(德州仪器)
INA118U
TI(德州仪器)
MBRD660CTT4G
ON(安森美)
SN65HVD485EDR
TI(德州仪器)
CAT811STBI-GT3
ON(安森美)
VL53L0CXV0DH/1
ST(意法)
PCA9554PW
TI(德州仪器)
SST25VF016B-50-4I-S2AF
SST
STM32F401CCU6
ST(意法)
STM32L162RET6
ST(意法)
TAS5825MRHBR
TI(德州仪器)
BMP388
Bosch(博世)
TLE4205G
SIEMENS(德国西门子)
AD420ARZ-32
ADI(亚德诺)
TPD2E001DRLR
TI(德州仪器)
TLV70433DBVR
TI(德州仪器)
CDCV304PWR
TI(德州仪器)
XC6SLX9-2FTG256C
XILINX(赛灵思)
MKW41Z512VHT4
NXP(恩智浦)
EPM570T144I5N
ALTERA(阿尔特拉)
STM32F303RBT6
ST(意法)
XC7A50T-2FGG484I
XILINX(赛灵思)
STM32F303CCT6
ST(意法)
XQR5VFX130-1CN1752B
XILINX(赛灵思)
TLV320AIC3254IRHBR
TI(德州仪器)
ADA4530-1ARZ
ADI(亚德诺)
BLE113-A-M256K
SILICON LABS(芯科)
NHI350AM4
INTEL(英特尔)
AD5412ACPZ
ADI(亚德诺)
KSZ8081RNBIA-TR
Micrel(麦瑞)
TC1047AVNBTR
Microchip(微芯)
FSA2567MPX
Fairchild(飞兆/仙童)
VND5050AJTR-E
ST(意法)
DRV8711DCPR
TI(德州仪器)
AM3354BZCZA100
TI(德州仪器)
EP53F8QI
ALTERA(阿尔特拉)
TDA8954TH/N1
NXP(恩智浦)
VN5E006ASPTR-E
ST(意法)
CH340N
WCH(南京沁恒)
PESD2CAN
NXP(恩智浦)
TCA0372DWR2G
ON(安森美)
PIC16F1938-I/SS
Microchip(微芯)
STM32H753ZIT6
ST(意法)
10M25SAE144I7G
ALTERA(阿尔特拉)
MPL3115A2R1
Freescale(飞思卡尔)
LMR33630AQRNXRQ1
TI(德州仪器)
SDINBDG4-8G-XI1
Sandisk
HMC5883L
Honeywell(霍尼韦尔)
AD8629ARZ
ADI(亚德诺)
REF5025IDGK
TI(德州仪器)
TPS3619-33DGKR
TI(德州仪器)
MMBT3906LT1G
ON(安森美)
LM2594DADJR2G
TI(德州仪器)
L78L33ABUTR
ST(意法)
VNN7NV04PTR-E
ST(意法)
TMS320F2812GHHA
Burr-Brown(TI)
STM32F070CBT6
ST(意法)
USB2514B-AEZC
smsc
ADS8691IPWR
TI(德州仪器)
AM26LS32ACDR
TI(德州仪器)
BSC021N08NS5
Infineon(英飞凌)
TDA8950TH
NXP(恩智浦)
LTC1859CG
ADI(亚德诺)
NVTFS5820NLTAG
ON(安森美)
AD8552ARZ
ADI(亚德诺)
AD7793BRUZ
ADI(亚德诺)
A42MX09-FPQG100
Microchip(微芯)
PCM5100APWR
Burr-Brown(TI)
PCI9030-AA60PIF
PLX
IRFZ44NPBF
Infineon(英飞凌)
STM32F427IIT6
ST(意法)
1N4148W
Diodes(美台)
ISO3088DWR
TI(德州仪器)
IRFB4110PBF
Vishay(威世)
BTS4140N
Infineon(英飞凌)
RTL8153B-VB-CG
REALTEK(瑞昱)
ATXMEGA32A4U-AU
Atmel(爱特梅尔)
5CGXFC9E6F31I7N
ALTERA(阿尔特拉)
M41T00M6F
ST(意法)
PIC16F690-I/SS
Microchip(微芯)
DRV8844PWPR
TI(德州仪器)
DN2540N8-G
Microchip(微芯)
SST39VF6401B-70-4I-EKE
SST
HMC8205BF10
ADI(亚德诺)
AD8221ARZ
ADI(亚德诺)
LMZ23605TZ
TI(德州仪器)
LMX9830SM
TI(德州仪器)
R7S910025CBG
TPS7A3301RGWR
TI(德州仪器)
TPS767D301PWPR
TI(德州仪器)
DRV8701ERGER
TI(德州仪器)
EPM3128ATI100-10N
ALTERA(阿尔特拉)
PCA9535PW
Philips(飞利浦)
AT45DB321D-SU
ADESTO(领迎)
GD32F303VCT6
GD(兆易创新)
LM317TG
ST(意法)
IRF9540NPBF
Vishay(威世)
STM32F765IIT6
ST(意法)
W25Q128JVPIQ
WINBOND(华邦)
SBB5089Z
Qorvo(威讯联合)
TPA3130D2DAPR
TI(德州仪器)
STM32G0B1RCT6
ST(意法)
DP83848CVV
TI(德州仪器)
PIC16F1718T-I/ML
Microchip(微芯)
STM32F373CCT6
ST(意法)
MAX232DR
Maxim(美信)
TPS92662QPHPRQ1
TI(德州仪器)
