ESD8008MUTAG的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
ESD8008MUTAG
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
1481485262
零件包装代码
UDFN-14
包装说明
UDFN-14
制造商包装代码
517CN
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
Factory Lead Time
8 weeks
风险等级
1.55
Samacsys Description
ESD Suppressors / TVS Diodes LOW CAP ESD PROTECTION
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.81
其他特性
ULTRA LOW CAPACITANCE
最大击穿电压
8.5 V
最小击穿电压
5.5 V
击穿电压标称值
7 V
最大钳位电压
10.3 V
配置
COMMON ANODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-N14
JESD-609代码
e3
湿度?舾械燃?
1
元件数量
8
端子数量
14
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性
UNIDIRECTIONAL
参考标准
IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压
3.3 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
MATTE TIN
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
ESD8008MUTAG: 静电和浪涌二极管的分析与应用
在现代电子设备的快速发展中，静电放电（ESD）和电涌现象给设备的可靠性带来了显著的挑战。静电放电会损害电子组件，导致数据损失、功能失效，甚至完全烧毁设备。因此，设计具有良好防护能力的电子元件显得尤为重要。ESD8008MUTAG作为一种静电和浪涌二极管，是实现这一目标的有效解决方案之一。
静电放电的基本原理
静电放电是一种瞬时电流现象，通常发生在绝缘体之间或接触的导体之间。当两种物质接触后，电子会从一物体转移到另一物体，造成电荷的不均匀分布。当这种不均匀的电荷达到足够的水平，电流便会开始流动，形成静电放电。这种瞬间的高电压与电流都会对电子器件造成损害。
ESD8008MUTAG的工作原理
ESD8008MUTAG是一种集成电路保护元件，旨在抑制静电和浪涌对电路的影响。其工作原理基于其特定的反向击穿特性。当外部电压超出其击穿电压范围时，ESD8008MUTAG会迅速导通，将过冲电流引导至地，以保护后续的敏感电子组件。这一过程十分迅速，通常在纳秒级别完成，从而确保电路在极端条件下依然能够正常工作。
设计特点与技术参数
ESD8008MUTAG具有许多关键设计特点，使其在电路保护中表现优异。首先，它的最大工作电压（VWM）使得其能够在常规工作条件下可靠运行，而不会发生不必要的击穿。此外，其快速响应时间是其重要的特点之一，这使得该器件能够在最短的时间内抑制突发的电压尖峰。
其次，ESD8008MUTAG的低击穿电压降低了对数据线和电源线的影响，确保了设备在高频应用中的稳定性。其最高耐压（VBR）值能够有效地处理多种不同类型的ESD事件，提供宽广的适用范围。此外，其小型化封装设计使得ESD8008MUTAG可用于空间有限的电子设备中。
应用领域
ESD8008MUTAG因其良好的性能和可靠性而被广泛应用于电子设备中。例如，在通信设备和手机中，静电保护至关重要，因为这些设备常遇到操作人员的静电放电。ESD8008MUTAG可以有效地保护这些设备不受到静电放电的损害，从而延长设备的使用寿命。
除了通信设备外，ESD8008MUTAG还频繁应用于家用电器、汽车电子、工业控制系统以及计算机外设等领域。在这些应用场景中，对元件的静电保护需求越来越高，ESD8008MUTAG凭借其出色的性能满足了这些要求，使消费者能够享受到高稳定性和高可靠性的电子设备。
对ESD8008MUTAG的测试与验证
为了确保ESD8008MUTAG的性能，必须进行严格的测试与验证。这些测试通常包括ESD耐受测试、电流波形测试和长期稳定性测试等。ESD耐受测试主要模拟静电放电现象，以验证其在高压状态下是否能有效工作。电流波形测试则评估其在瞬态电流波动下的表现，从而判断其快速响应能力。
长期稳定性测试则旨在评估ESD8008MUTAG在经历多次ESD事件后的性能保持情况。只有经过重重考验的产品，才能进入商业市场，满足越来越高的电子设备保护需求。
未来的展望
随着技术的不断进步，电子设备的集成度和复杂性日益提升，使得对静电保护元件的需求也在不断增长。ESD8008MUTAG作为一种高效的电路保护方案，未来有望在更多高要求的应用中找到其适用的市场。设计优化，材料更新及制造工艺的改进，将进一步提高其可靠性与性能，确保其在未来市场中的竞争力。
ESD8008MUTAG
ON(安森美)
MPXAZ6115APT1
Freescale(飞思卡尔)
TPS65132WRVCR
TI(德州仪器)
CS4398-CZZR
CirrusLogic(凌云逻辑)
STC8H1K08-36I-TSSOP20
STC(宏晶)
ADG904BCPZ-REEL7
ADI(亚德诺)
24AA256T-I/SN
Microchip(微芯)
AD2S90APZ
ADI(亚德诺)
ADG1414BRUZ-REEL7
ADI(亚德诺)
GRM31CR61E476ME44L
MURATA(村田)
PIC16F1829T-I/SS
Microchip(微芯)
XC3S500E-4FTG256I
XILINX(赛灵思)
D44VH10G
ON(安森美)
KSZ9031MNXCA
Microchip(微芯)
MMBZ27VALT1G
ON(安森美)
XTR117AIDGKT
TI(德州仪器)
FDBL86062-F085
ON(安森美)
ADM3222ARWZ
ADI(亚德诺)
BTS5030-2EKA
Infineon(英飞凌)
DRV8833RTYR
TI(德州仪器)
MCP6004-I/SL
Microchip(微芯)
TLV71318PDQNR
TI(德州仪器)
2SC2412KT146R
Rohm(罗姆)
MC7824CTG
ON(安森美)
CYW43438KUBGT
Cypress(赛普拉斯)
DRV8842PWPR
TI(德州仪器)
EM2120L01QI
INTEL(英特尔)
EM357-RTR
SILICON LABS(芯科)
PESD15VL1BA
NXP(恩智浦)
ADA4940-2ACPZ-R7
ADI(亚德诺)
CDSOD323-T03
Bourns(伯恩斯)
XC2C64A-7QFG48C
XILINX(赛灵思)
XTR105U
TI(德州仪器)
NTGS5120PT1G
ON(安森美)
JS28F256P30BFE
micron(镁光)
STW25N80K5
ST(意法)
W25Q256JWEIQ
WINBOND(华邦)
LM2904AVQDRQ1
TI(德州仪器)
MCIMX357CJQ5C
Freescale(飞思卡尔)
TL431BIDR
TI(德州仪器)
VN610SPTR-E
ST(意法)
XC3S50A-4VQG100I
XILINX(赛灵思)
AR9344-DC3A
Qualcomm(高通)
AD2S1210CSTZ
ADI(亚德诺)
MT25QU256ABA8E12-1SIT
micron(镁光)
SPC5200CVR400B
MOTOROLA(摩托罗拉)
STM32G431C8T6
ST(意法)
STM32WB5MMGH6TR
ST(意法)
TLV70333DBVR
TI(德州仪器)
W25Q16DVSSIG
WINBOND(华邦)
IRFH5300TRPBF
Infineon(英飞凌)
MCIMX27VOP4A
NXP(恩智浦)
SN75DP159RSBR
TI(德州仪器)
IP804A
IC PLUS(九阳电子)
IT8786E-I/BX
ITE
SI8642ED-B-ISR
SILICON LABS(芯科)
TPA6205A1DGNR
TI(德州仪器)
W25Q64JWSSIQ
WINBOND(华邦)
ADM2481BRWZ
ADI(亚德诺)
ATSAM4S16CA-AU
Atmel(爱特梅尔)
EFM8BB10F8G-A-QFN20R
SILICON LABS(芯科)
IRF520NPBF
Infineon(英飞凌)
ISO7763FDW
TI(德州仪器)
LM2574N-5G
ON(安森美)
AD680ARZ
ADI(亚德诺)
FQD10N20CTM
Freescale(飞思卡尔)
ICL7650SCPDZ
Intersil(英特矽尔)
M4A5-128/64-10VNC
Lattice(莱迪斯)
SIM7600G-H
SIMCOM(芯讯通无线)
W83627DHG-P
Nuvoton(新唐)
AT89C2051-24PI
Atmel(爱特梅尔)
L9945TR
ST(意法)
XC3SD1800A-4CSG484I
XILINX(赛灵思)
IRF1407PBF
Infineon(英飞凌)
IRFS7440TRLPBF
Infineon(英飞凌)
MVR5510AMDAHES
NXP(恩智浦)
SN74LVC3G14DCUR
TI(德州仪器)
TPS51120RHBR
TI(德州仪器)
ACS770LCB-050U-PFF-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
DP4110
HMC346LP3E
ADI(亚德诺)
LR645N8-G
SUPERTEX(超科)
MM3Z5V6ST1G
ON(安森美)
OP484ESZ
ADI(亚德诺)
PIC16F1826-I/SO
MIC(昌福)
PT4115
crpowtech(华润矽威)
STK14C88-3NF45I
Cypress(赛普拉斯)
AD5410ACPZ-REEL7
ADI(亚德诺)
ADIS16505-1BMLZ
ADI(亚德诺)
ADRV9002BBCZ
ADI(亚德诺)
BP1808
（BPS）上海晶丰明源
XC6219B332MR
TOREX(特瑞仕)
CD4013BM
TI(德州仪器)
CY8C4025AZI-S413
Cypress(赛普拉斯)
DAC714U
Burr-Brown(TI)
INA219BIDR
TI(德州仪器)
K9F2G08U0B-PCB0
SAMSUNG(三星)
PIC12C508A-04I/SM
MIC(昌福)
FLL57MK
Sumitomo（住友电气）
LD39100PURY
ST(意法)
MAX485CPA
XINBOLE(芯伯乐)
SN74LS273N
MOT(仁懋)
USB2512B-AEZG-TR
smsc
