NL27WZ06DTT1G 的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
NL27WZ06DTT1G
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
Objectid
2055878660
零件包装代码
TSOP-6
包装说明
ROHS COMPLIANT, TSOP-6
针数
6
制造商包装代码
318G-02
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China, Malaysia
HTS代码
8542.39.00.01
Factory Lead Time
2 days
风险等级
9.23
Samacsys Description
Designed for 1.65 V to 5.5 V VCC Operation; Extremely High Speed: tPD 2.5 ns (typical) at VCC = 5 V; Over Voltage Tolerant Inputs; LVTTL Compatible - Interface Capability With 5 V TTL Logic with VCC = 3 V; LVCMOS Compatible; 24 mA Balanced Output Sink Capability; Near Zero Static Supply Current Substantially Reduces System Power Requirements; Chip Complexity: FET = 72; Equivalent Gate = 18; Pb-Free Packages are Available
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2025-01-22 16:53:39
YTEOL
0
系列
27WZ
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
JESD-609代码
e3
长度
3 mm
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
INVERTER
最大I(ol)
0.024 A
湿度敏感等级
1
功能数量
2
输入次数
1
端子数量
6
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
输出特性
OPEN-DRAIN
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSOP6,.11,37
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法
TR
峰值回流温度(摄氏度)
260
传播延迟(tpd)
11 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
NO
座面最大高度
1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
1.65 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子节距
0.95 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
1.5 mm
NL27WZ06DTT1G 逻辑芯片的设计与应用
在现代电子技术迅速发展的背景下,逻辑芯片作为数字电路的基石,其重要性日益凸显。NL27WZ06DTT1G是一款广泛应用于各种电子设备中的逻辑芯片,属于74LVC系列。它主要用于实现反相器功能,适用于多种数字逻辑应用场合。本文将探讨NL27WZ06DTT1G逻辑芯片的设计原理、结构特点、应用领域及其优势,进一步揭示其在电子工程中的重要作用。
1. 逻辑芯片的基本概念
逻辑芯片(Logic Chip)是利用逻辑门实现数字电路功能的半导体器件。逻辑芯片中包含多个逻辑门,这些逻辑门可以实现与、或、非等基本逻辑运算。随着集成电路技术的进步,逻辑芯片能够集成越来越多的功能,使其在微处理器、存储器及其他数字电路中发挥重要作用。
2. NL27WZ06DTT1G 的基本参数与特性
NL27WZ06DTT1G是由Nexperia公司生产的一款高性能CMOS反相器,其具体参数如下:
- 工作电压范围:2V到6V - 输入电压范围:0V到6V - 输出驱动能力:能够支持多种负载,适合更广泛的电路需求 - 工作温度范围:-40℃到125℃ 该芯片的主要特点包括高噪声容限、低功耗和宽电压范围,使其适合于各种嵌入式应用和电源管理的场合。
3. 设计原理
NL27WZ06DTT1G采用CMOS工艺设计,CMOS(互补金属氧化物半导体)具有低功耗、高集成度和高噪声容限等优势。反相器的基本功能是将输入信号的逻辑取反,例如,当输入为高电平时,输出为低电平;而当输入为低电平时,输出则为高电平。其电路结构通常由一个PMOS和一个NMOS晶体管组成,通过合理的连接和控制输入信号的导通与截止,实现逻辑反相功能。
在设计过程中,考虑到延迟时间、功耗和开关速度等因素是至关重要的。设计者需要综合考虑这些参数,以确保芯片在各种工作条件下的可靠性和性能。此外,芯片的引脚排列也经过精心设计,以便于集成到电路板中。
4. 应用领域
NL27WZ06DTT1G被广泛应用于多个领域,包括:
- 数字电路:作为基本的逻辑组件,反相器被广泛应用于各种数字电路中,特别是在逻辑运算和信号处理方面。 - 数据转换:在接口电路中常用于实现信号的反相和级联,帮助实现更复杂的逻辑功能。 - 电源管理:其特性使其在电源开关控制、电源监控等领域有着重要的应用,可以有效提高电源系统的效率。 - 嵌入式系统:在各种嵌入式系统中,NL27WZ06DTT1G由于其低功耗的特性,成为重要的选择,尤其适用于电池供电的设备。
5. 优势分析
NL27WZ06DTT1G逻辑芯片的优势体现在多个方面。
首先,低功耗设计使其在需要长时间运行的电子产品中极具优势,尤其在便携式设备日益普及的情况下,降低能源消耗显得尤为重要。其次,CMOS技术所带来的高噪声容限使得该芯片在实际应用中更为可靠,能够有效抵御电磁干扰,保证数据传输的稳定性。此外,广泛的工作电压和温度范围也为芯片的应用提供了更大的灵活性,用户可以在不同环境下使用,无需担心芯片的性能下降。
此外,该芯片的兼容性强,能够与其他TTL或CMOS逻辑电路相互配合使用,为设计者提供了更多的选择空间。在混合信号电路中,NL27WZ06DTT1G也能够与模拟和数字电路协同工作,拓宽了其应用领域。
6. 性能优化与未来发展
为了提升NL27WZ06DTT1G逻辑芯片的性能,研究者们正在探索新材料和新工艺的应用,例如,在CMOS技术中引入FinFET结构,以提高开关速度和降低功耗。此外,随着电子元件的集成度不断提高,未来的逻辑芯片设计将更加关注系统级集成(System on Chip,SoC)技术的应用,实现更多功能的集成。
在智能设备、物联网和人工智能等领域的推动下,逻辑芯片的需求只增不减。NL27WZ06DTT1G及其同类产品将在高性能处理器、先进的信号处理技术和智能控制系统的设计中,继续发挥其不可替代的作用。
通过深入了解NL27WZ06DTT1G逻辑芯片的设计、应用及其性能,可以为相关研究提供更广阔的视角,同时,也为新一代电子产品的研发提供了丰富的理论基础与实践经验。
STM32F103RCT6
ST(意法)
TMS320F28335PGFA
TI(德州仪器)
STM32F405RGT6
ST(意法)
BTS50085-1TMA
Infineon(英飞凌)
STM32H743VIT6
ST(意法)
ULN2803ADWR
TI(德州仪器)
STM32F407VGT6
TI(德州仪器)
STM8S003F3P6TR
ST(意法)
STM8S003F3P6
ST(意法)
STM32F030C8T6
TI(德州仪器)
KSZ8999I
MIC(昌福)
STM32F407ZGT6
ST(意法)
AD9361BBCZ
ADI(亚德诺)
STM32F103VCT6
TI(德州仪器)
MCF5282CVM66
NXP(恩智浦)
ATMEGA328P-AU
Microchip(微芯)
ADS1248IPWR
Burr-Brown(TI)
STM32F103VET6
ST(意法)
LM3481QMM
TI(德州仪器)
LM3481MM
NS(国半)
STM32F407ZET6
TI(德州仪器)
W5500
WINBOND(华邦)
ATMEGA2560-16AU
Atmel(爱特梅尔)
VNH5180ATR-E
ST(意法)
ATMEGA128A-AU
Atmel(爱特梅尔)
TPS5430DDAR
TI(德州仪器)
STM32F103ZET6
ST(意法)
AD7606BSTZ
ADI(亚德诺)
STM32F429IGT6
ST(意法)
STM32F103CBT6
TI(德州仪器)
KLM8G1GETF-B041
SAMSUNG(三星)
FT232RL
FTDI(飞特帝亚)
LPC1768FBD100
NXP(恩智浦)
STM32F030K6T6
TI(德州仪器)
STM32F103RET6
ST(意法)
MBR0520LT1G
ON(安森美)
STM32H743ZIT6
ST(意法)
ULN2003ADR
TI(德州仪器)
STM32H750VBT6
ST(意法)
BSP75N
Infineon(英飞凌)
ISL8204MIRZ
Renesas(瑞萨)
TPS51200DRCR
TI(德州仪器)
TMS320F28034PNT
TI(德州仪器)
LM358DR
ON(安森美)
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NXP(恩智浦)
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Freescale(飞思卡尔)
W25Q128JVSIQ
WINBOND(华邦)
ATMEGA8A-AU
Atmel(爱特梅尔)
GD32F103C8T6
ST(意法)
XCF04SVOG20C
XILINX(赛灵思)
MK70FN1M0VMJ15
Freescale(飞思卡尔)
ISO1050DUBR
Burr-Brown(TI)
ATMEGA32A-AU
Atmel(爱特梅尔)
STM32H743IIT6
ST(意法)
XC6SLX75-3CSG484I
XILINX(赛灵思)
ADM2587EBRWZ
ADI(亚德诺)
SN75ALS181NSR
TI(德州仪器)
GD32F103RCT6
GD(兆易创新)
USBLC6-2SC6
ST(意法)
NRF52832-QFAA-R
NORDIC
TPS74501PQWDRVRQ1
TI(德州仪器)
ATMEGA64A-AU
Atmel(爱特梅尔)
AMS1117-3.3
AMS(艾迈斯)
LAN8720AI-CP-TR
smsc
XC7K325T-2FFG900I
XILINX(赛灵思)
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NXP(恩智浦)
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TI(德州仪器)
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TI(德州仪器)
74HC595D
ON(安森美)
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Broadcom(博通)
SN75176BDR
NXP(恩智浦)
N76E003AT20
Nuvoton(新唐)
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ST(意法)
FS32K144HFT0VLLT
NXP(恩智浦)
MK66FN2M0VLQ18
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ST(意法)
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TI(德州仪器)
NCP1654BD65R2G
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ADI(亚德诺)
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ADI(亚德诺)
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ON(安森美)
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NXP(恩智浦)
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ALTERA(阿尔特拉)
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SN74HC595DR
TI(德州仪器)
O3853QDCARQ1
TI(德州仪器)
TJA1050T/CM
NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU
Microchip(微芯)
STM32F030F4P6
TI(德州仪器)
LIS3DHTR
ST(意法)
DSP56F803BU80E
MOTOROLA(摩托罗拉)
STM32F411CEU6
ST(意法)
STM32G070CBT6
ST(意法)
MAX13487EESA
Maxim(美信)
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ST(意法)
ATMEGA88PA-AU
Atmel(爱特梅尔)
ADS1258IRTCR
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MBRA340T3G
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TPS54331DR
TI(德州仪器)
NUP2105LT1G
NXP(恩智浦)
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W25Q64JVSSIQ
WINBOND(华邦)
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ALTERA(阿尔特拉)
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MOTOROLA(摩托罗拉)
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NORDIC
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ISO3082DWR
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ST(意法)
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ST(意法)
VND7012AYTR
ST(意法)
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ON(安森美)
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FTDI(飞特帝亚)
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Atmel(爱特梅尔)
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Freescale(飞思卡尔)
VNH3SP30TR-E
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XCF32PFSG48C
XILINX(赛灵思)
W25Q32JVSSIQ
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CKS32F030C8T6
EPCS16SI8N
ALTERA(阿尔特拉)