IAUT300N08S5N014晶体管元件材料

参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8308740070
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.56
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2020-11-30 19:47:12
雪崩能效等级（Eas） 600 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V
最大漏极电流 (ID) 300 A
最大漏源导通电阻 0.0014 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 106 pF
JESD-30 代码 R-PSSO-F8
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1200 A
参考标准 AEC-Q101
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
TPS61099DRVR
DP83825IRMQR
IAUT300N08S5N014
SN74CBTLV3125PWR
SN74LVTH16244ADGGR
TPS2041BDR
TPS40140RHHR
TPS53317ARGBR
LCMXO2-2000HC-4MG132C