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TLP521-1GR 使命必达

发布时间:2014/1/17 11:26:00 访问次数:374 发布企业:深圳市力拓辉电子有限公司

TLP521-1GR


品牌:TOSHIBA
封装:DIP4
数量:25000 PCS
批号:13+
说明:全新原装正品,公司长期特价销售,品质保证,假一罚十,支持原厂订货!详情面议

联系人: 李先生
手 机: 15012764936
直 线: 0755-82785381 82781578
业务QQ 1049720034 / 872633911

产品参数:

Package4PDIP
Output TypeDC
Number of Channels per Chip1
Typical Forward Voltage1.15 V
Maximum Collector Current50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage55 V
Maximum Forward Voltage1.3 V
Minimum Forward Voltage1 V
Minimum Isolation Voltage2500 Vrms
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage200(Typ) mV
Maximum Current Transfer Ratio @ Current600 %
Maximum Input Current70 mA
Maximum Power Dissipation250 mW
Maximum Reverse Voltage5 V
Operating Temperature-55 to 85 °C
CategoryTransistor and Phot ovoltaic Output Phot oCouplers
ManufacturerToshiba

4G牌照一声令下 国产芯片蓄势待发

 4G牌照的发放为业界带来一片光明。发牌既标志着4G新时代的开篇,也是我国在3G时代技术积淀收获的“硕果”。几度浮沉的芯片厂商,或将在新的时间节点下完成新的“使命必达”。
  迈向新制程
  随着TD-LTE产业成熟和商用推广,未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能,TD-LTE芯片将逐渐向28nm演进。
  全产业链的相对成熟是4G发牌时必需的考量,虽然在芯片环节还受限于多模多频的挑战,但一个显见的事实是制程工艺成熟度的提升是突破这一瓶颈的关键。大唐电信集团董事长真才基就对《中国电子报》记者表示,从芯片角度来看,4G终端芯片将聚集在28nm制程,中芯国际的28nm技术已经成熟,能够与4G发展的要求相匹配。希望中国4G终端芯片能够较长时间稳定在28nm工艺上发展,因其产业化平台越长,对提高终端供给能力越有好处。

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