随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求，这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求，希望进一步提升产品的续航能力。

在安全性方面，该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果，为应用带来高安全保障。

另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.6V的宽电压范围，可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装，全温度工作范围覆盖-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃。

GD25UF系列产品进一步丰富了Flash Memory产品线,其具备的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高续航能力，即使在不可避免的电池衰减过程中，也可以保持出色且稳定的运行状态，增加应用的可靠性。

AND只有两个平面，就算是最先进的产品也仅采用四平面设计来传输指令与数据流。

如今，电池续航能力已经成为消费者选购产品的重要指标，GD25UF系列产品的问世会是下一代可穿戴设备的理想选择。

1.2V SPI NOR Flash产品线的企业，走在了需求前端，为下一代应用的设计开发缓解了压力，从一定程度上缩短了客户的研发成本，让他们能够在日益激烈的市场竞争中保持领先地位。

与客户一同成长，并为客户提供更加高效、更具性价比的SSD，对于AI、机器学习和大数据等主要增长领域都具有极其重要的意义。

在3D NAND闪存中增加更多堆叠层数看似轻而易举，实则并非如此。NAND的制造工艺非常复杂，往往需要数百道独立工艺流程才能将原始晶圆加工成合适的裸片或芯片。