线路侧Rx支持专为应对压力MMF环境中光学损伤而定制性能增强功能
发布时间:2024/8/28 12:32:25 访问次数:118
高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.051Ω，从而提高额定功率支持2kW以上的各种应用，器件满足符合开放计算项目Open Rack V3（ORV3）标准的需求。
MOSFET有效输出电容Co(er)和Co(tr)典型值分别仅为115pF和772pF，可改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。器件的电阻与Co(tr)乘积FOM低至5.87W*pF达到业内先进水平。
SiHP054N65E采用TO-220AB封装，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式下电压瞬变，并保证极限值100%通过UIS测试。
小型化显著提高了功率密度，而高度集成则降低了设计的复杂性并加快产品上市速度。稳压器的控制器静态耗电量很小，峰值效率高达97%。
microBRICK稳压器适用于数据中心、通信基础设施和工业应用，可为FPGA、ASIC和SoC核心电源高效供电，有助于降低能耗。
主机侧（电）和线路侧（光）均为单通道100G PAM4信号。
光侧及电侧均使用第四代DSP技术，提供了业界领先的高灵敏度和低误码率（BER）性能，为组件变化和量产提供了足够的性能余量。
线路侧Rx支持专为应对压力MMF环境中的光学损伤而定制的性能增强功能。
集成支持可编程激光电流功能的100G VCSEL驱动，可优化模块布局并降低BOM成本。
配有多阶FIR滤波器的高性能发射器，可对模块的电连接器和光接口进行精确优化。
深圳市金狮鼎科技有限公司https://lionfly.51dzw.com
高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.051Ω，从而提高额定功率支持2kW以上的各种应用，器件满足符合开放计算项目Open Rack V3（ORV3）标准的需求。
MOSFET有效输出电容Co(er)和Co(tr)典型值分别仅为115pF和772pF，可改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。器件的电阻与Co(tr)乘积FOM低至5.87W*pF达到业内先进水平。
SiHP054N65E采用TO-220AB封装，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式下电压瞬变，并保证极限值100%通过UIS测试。
小型化显著提高了功率密度，而高度集成则降低了设计的复杂性并加快产品上市速度。稳压器的控制器静态耗电量很小，峰值效率高达97%。
microBRICK稳压器适用于数据中心、通信基础设施和工业应用，可为FPGA、ASIC和SoC核心电源高效供电，有助于降低能耗。
主机侧（电）和线路侧（光）均为单通道100G PAM4信号。
光侧及电侧均使用第四代DSP技术，提供了业界领先的高灵敏度和低误码率（BER）性能，为组件变化和量产提供了足够的性能余量。
线路侧Rx支持专为应对压力MMF环境中的光学损伤而定制的性能增强功能。
集成支持可编程激光电流功能的100G VCSEL驱动，可优化模块布局并降低BOM成本。
配有多阶FIR滤波器的高性能发射器，可对模块的电连接器和光接口进行精确优化。
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