较低的体二极管正向电压（VSD）有助于提高器件稳健性和效率
发布时间:2024/9/12 0:15:16 访问次数:64
D2PAK-7等SMD封装的高性能SiC开关日益增长的需求，这种开关在电动汽车（EV）充电（充电桩）、不间断电源（UPS）以及太阳能和储能系统（ESS）逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。
将SiC宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度，同时还提高了该技术的未来生产能力，以满足不断增长的市场需求。
RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。
严格的阈值电压VGS(th)规格使这些MOSFET分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。
此外，较低的体二极管正向电压（VSD）有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。
UJ4N075004L8S 的导通电阻RDS（on） 低至4mΩ，是业内采用标准分立封装的650V至750V等级功率器件中导通电阻最低的器件。较低的导通电阻使发热量显著降低，加之紧凑的TOLL封装，使解决方案的尺寸比TO-263封装的同类产品小40%。
SSCB市场正迅速增长，Qorvo的最新产品是这一技术演进中的重要里程碑。
Qorvo的JFET器件坚固耐用，能够在电路故障时承受极高的浪涌电流并实现关断，非常适合应对电路保护领域的挑战。
Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的RDSon温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
D2PAK-7等SMD封装的高性能SiC开关日益增长的需求，这种开关在电动汽车（EV）充电（充电桩）、不间断电源（UPS）以及太阳能和储能系统（ESS）逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。
将SiC宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度，同时还提高了该技术的未来生产能力，以满足不断增长的市场需求。
RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。
严格的阈值电压VGS(th)规格使这些MOSFET分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。
此外，较低的体二极管正向电压（VSD）有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。
UJ4N075004L8S 的导通电阻RDS（on） 低至4mΩ，是业内采用标准分立封装的650V至750V等级功率器件中导通电阻最低的器件。较低的导通电阻使发热量显著降低，加之紧凑的TOLL封装，使解决方案的尺寸比TO-263封装的同类产品小40%。
SSCB市场正迅速增长，Qorvo的最新产品是这一技术演进中的重要里程碑。
Qorvo的JFET器件坚固耐用，能够在电路故障时承受极高的浪涌电流并实现关断，非常适合应对电路保护领域的挑战。
Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的RDSon温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。
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