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> 2SC4327
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4327
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 35V (最小值)
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE ( SAT )
=
0.5V (最大值) @ (我
C
= 5A ,我
B
= 0.3A)
.Complement
到类型2SA1643
B
应用
·设计
电源开关应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
50
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
35
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
7
A
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
25
W
T
J
结温
150
℃
T
英镑
储存温度
-55~150
℃
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC4327
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 25毫安;我
B
= 0
35
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.3A
B
0.5
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.3A
B
1.2
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 50V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 2V
50
f
T
电流增益带宽积
I
E
= -1A ; V
CE
= 12V
115
兆赫
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4327
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 35V (最小值)
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE ( SAT )
=
0.5V (最大值) @ (我
C
= 5A ,我
B
= 0.3A)
.Complement
到类型2SA1643
B
应用
·设计
电源开关应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
50
V
35
V
7
V
7
A
25
W
I
C
集电极电流连续
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
储存温度
-55~150
℃
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硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
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典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 25毫安;我
B
= 0
35
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.3A
B
0.5
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.3A
B
1.2
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 50V ;我
E
= 0
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
w
se
sc
.i
w
w
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
I
C
= 5A ; V
CE
= 2V
I
E
= -1A ; V
CE
= 12V
.CN
i
m
50
115
10
μA
10
μA
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30486
3D7215Z-15
37400500410
307UC101E
385517
3KP40
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