33LV408
4兆位（ 512K的×8位）的
CMOS SRAM
33LV408
内存
逻辑图
F
EATURES
:
R
AD
-P
AK
技术抗辐射抗自然
空间辐射
524,288 ×8位的组织
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应
· - SEL
TH
： > 101兆电子伏/毫克/平方厘米
2
· - SEU
TH
：= 3兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU饱和截面： 6E - 9厘米
2
/位
包装：
- 32引脚
AD
-P
AK
扁平封装
快速存取时间：
- 20 ，最高25 ， 30 ns的可用时间
3.3V单电源+ 10 ％电源
全静态操作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗：
- 待机： 60毫安（ TTL ） ; 10毫安（ CMOS ）
- 运行：150 MA（ 20纳秒） ; 140毫安（ 25纳秒） ;
130毫安（ 30纳秒）
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 33LV408高密度的4兆位
SRAM微电路一个大于100拉德（ Si）的总特点
剂量耐受性，取决于航天飞行任务。使用MAX-
良好的抗辐射
AD
-P
AK
封装技术，该
33LV408实现一个高密度，高性能和低
功耗。它的全静态设计省去了
外部时钟，而CMOS电路降低功耗
耗，并提供更高的可靠性。该33LV408是
配备有8共同的输入/输出线，芯片选择
和输出使能，从而可获得更大的系统灵活性，并
消除了总线争用。该33LV408功能相同
先进的512K ×8位的SRAM ，高速和低功耗
需求的商业对手。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
04年2月4日第2版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
（ 858 ） 503-3300 - 传真： （ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com
2004麦克斯韦技术
版权所有。
4兆位（ 512K ×8位） CMOS SRAM
T
ABLE
4. 33LV408
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
(V
CC
= 3.3 + 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
电源电压
地
输入高电压
1
输入低电压
2
热阻抗
重量
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V AC（脉冲宽度< 10纳秒）为我< 20毫安
2.
V
IL
（分钟） = -2.0V交流（脉冲宽度< 10纳秒）为我< 20毫安
S
YMBOL
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
M
IN
3.0
0
2.2
-0.3
--
33LV408
M
AX
3.6
0
V
CC
+0.3
0.8
1.21
12
U
NIT
V
V
V
V
° C / W
克
Θ
JC
T
ABLE
5. 33LV408
APACITANCE
（ F = 1.0 MH
Z
, V
CC
= 3.3 V ，T
A
= 25
°
C)
P
ARAMETER
输入电容
1
CS1 - CS4 ，
OE ， WE
的I / O0-7 ，I / O8-15 ，I / O16-23 ，I / O24-31
输入/输出电容
1
1.设计保证。
S
YMBOL
C
IN
T
美东时间
C
ONDITIONS
V
IN
= 0 V
7
28
7
C
OUT
V
I / O
= 0 V
8
pF
M
AX
U
尼特
pF
内存
T
ABLE
6. 33LV408 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V + 10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电流
-20
-25
-30
备用电源
当前
S
YMBOL
C
ONDITION
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
,
V
OUT
=V
SS
到V
CC
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
闵周期， 100 ％占空比， CS = V
IL
, I
OUT
=0mA,
V
IN
= V
IH
或V
IL
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
1, 2, 3
--
150
140
130
60
mA
M
IN
-2
-2
--
2.4
M
AX
2
2
0.4
--
U
NIT
A
A
V
V
mA
I
SB
CS = V
IH
，最小周期
04年2月4日第2版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
3
2004麦克斯韦技术
版权所有。
QQ：800888908 复制
