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华晶分立器件
3DD2499
½频放大管壳额定双极型晶½管
1
概述与特点
3DD2499
硅
NPN
型高反压大功率晶½管 主要用½
21
英寸½电行输出 该产品采用台面结
构 其点如下
击穿电压高 漏电流小
开关速度快
饱和压降½
电流特性½
封装½式
TO-3P(H)IS
4.5
2
电特性
2.1
极限值
除非另有规定
T
AMB
= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基极电压
发射极-基极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
2.2
电参数
除非另有规定
T
AMB
= 25
参 数 名 称
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
特征频率
a:
脉冲测试
TP 300秒，
符 号
I
CB0
I
EB0
h
有限元分析
V
CEsata
V
BEsata
t
f
f
T
2%
测 试 条 件
V
CB
= 1500V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
V
CC
= 100V ，我
C
=4A
2I
B1
=-I
B2
=0.8A
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
f=0.3MHz
26.5max
15.5max
5.5max
3max
3.6
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
额定值
600
1500
5
5
3.5
50
150
-55 150
单½
V
V
V
A
W
标 记
17max
2max
0.75max
5.45
5.45
3.3min
0.9max
B
C
E
规 范 值
最小 典型 最大
1
66
200
10
40
5
1.5
1
1
单½
mA
mA
V
V
s
兆赫
无锡华晶微电子股½有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路
14
号
电话
0510 5807228-2268 2299
共
2
页
传真
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第
1
页
华晶分立器件
3DD2499
3
特性曲线
安全工½区(直流)
P
合计
-T
关系曲线
I
C
(A)
T
例
=25
P
合计
(W)
40
1
30
20
10
P
合计
-T
例
0.1
P
合计
-T
AMB
0.01
1
10
100
V
CE
(V)
0
0
50
100
T
h
FE
h
FE
-I
C
关系曲线
V
BE
SAT
(V)
T
AMB
=25
V
CE
=5V
V
BESAT
-I
C
关系曲线
1.2
T
AMB
=25
IC / I
B
=5
10
0.8
0.4
1
0.01
0.1
1
I
C
(A)
0.1
1
I
C
(A)
V
CESAT
-I
C
关系曲线
V
CE
SAT
(V)
10
T
AMB
=25
IC / I
B
=5
1
0.1
0.1
1
I
C
(A)
第
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页
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