16位闭锁保护ADC
T
ABLE
1. 7805ALP P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
N
棕土
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
N
AME
V
IN
AGND1
REF
帽
AGND2
D15 （MSB）
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
DGND
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0 （ LSB ）
状态*
的R / C
CS
忙
DECPLNG
V
S
0
0
0
0
0
0
0
0
0
I
I
0
0
0
0
0
0
0
0
0
D
IGITAL
I / O
D
ESCRIPTION
模拟输入。
模拟地。内部使用的接地参考点。
基准输入/输出。 2.2 μ ？F的钽电容到地
7805ALP
基准电压缓冲电容。 2.2 μ ？F的钽电容到地。
模拟地。
数据位15，最高位转换结果（ MSB ） 。当状态是
高* ， D15绝对不能被驱动为高电平。
数据位14，当状态为高电平* ， D14绝对不能被驱动为高电平。
数据位13，当状态为高电平* ， D13绝对不能被驱动为高电平。
数据位12，当状态为高电平* ， D12绝对不能被驱动为高电平。
数据位11，当状态为高电平* ， D11绝对不能被驱动为高电平。
数据位10，当状态为高电平* ， D10绝对不能被驱动为高电平。
数据位9，当状态为高电平* ， D9不能被驱动为高电平。
数据位8，当状态为高电平* ， D8绝对不能被驱动为高电平。
数字地
数据位7，当状态为高电平* D7不能被驱动为高电平。
数据位6.当状态为高电平* ，D不能被驱动为高电平。
数据位5，当状态为高电平* ， D5不能驱动为高电平。
数据位4，当状态为高电平* ， D4不能被驱动为高电平。
数据位3，当状态为高电平* ， D3不能被驱动为高电平。
数据位2，当状态为高电平* ， D2不能被驱动为高电平。
数据位1。当状态为高电平* ， D1不能被驱动为高电平。
数据位转换结果为0的最低有效位（LSB ） 。当状态是
高* ， D0不能被驱动为高电平。
状态时，高电平表示闭锁保护被激活，输出数据为
无效的。容性负载不能超过1000 pF的。
在CS为低电平和高电平忙，R / C的下降沿启动一次新的转换。
当状态为高电平* ， CS和R / C不能被驱动为高电平。
内部逻辑或运算与R / C 。如果R / C低，在CS下降沿启动一个新的转换
锡永。当状态为高电平* ， CS和R / C不能被驱动为高电平。
在转换开始时， BUSY变为低电平，并保持低电平直到转换
完成，且数字输出已更新。
电源电压高速去耦引脚。去耦至地1.0 μ F的陶瓷
电容。
电源输入。标称5V 。去耦至地10 μ ？F的钽电容。
内存
05年1月10日第9版
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