8XC196MH工业电机控制
CHMOS单片机
■
高性能CHMOS 16位CPU
■
16 MHz工作频率
■
32 KB片上的OTPROM / ROM
■
744字节的片内寄存器RAM
■
寄存器到寄存器结构
■
16优先级的中断源
■
外设事务服务器（ PTS ） 15
优先资源
■
多达52 I / O线
■
3相互补波形发生器
■
8通道8位或10位A / D与采样
HOLD
■
2通道UART
■
事件处理器阵列（ EPA）的有2个高
速度捕捉/比较模块和4个高
速度比较，仅模块
■
两个可编程16位定时器，
正交计数输入
■
两个脉宽调制器（ PWM ）输出
高驱动能力
■
灵活的8位或16位外部总线
■
1.75
s
16
×
16乘法
■
3
s
32/16鸿沟
■
扩展温度可用
■
空闲模式和掉电模式
■
看门狗定时器
该8XC196MH是Intel家族的16位的MCS的成员
96微控制器。它的设计主要是为了
控制三相交流感应电机和直流无刷电机。它采用了增强型三相波形
发电机专门为“变频”电机控制应用而设计的。该外设提供脉冲 -
宽度调制和三相正弦波生成用最少的CPU的干预。它产生三个
互补的非重叠的PWM脉冲为0.125的分辨率
s
（边沿触发）或0.250
s
（居中）。
该8XC196MH有两个专用的串口外设，让更少的软件开销。看门狗定时器
可以用四个时间选项之一进行编程。
该8XC196MH可作为80C196MH ，不具有片上ROM中， 87C196MH ，
其中包含32 KB的片上OTPROM *或工厂编程的ROM ，和83C196MH ，这
包含32 KB的工厂编程的掩膜ROM 。它是在84引脚PLCC可用， 80引脚收缩EIAJ / QFP ，
和64引脚SDIP 。 64引脚封装不包含引脚为P5.1 / INST和P6.7 / PWM1信号。
操作特性都保证在温度范围
- 40 ° C至
+
85°C
.
*一次可编程只读存储器（ OTPROM ）类似于EPROM但进来一个unwindowed包和
不能被擦除。它是用户可编程的。
英特尔公司对使用比电路体现在英特尔的产品以外的任何电路不承担任何责任。没有任何其他电路的专利
许可。本文所含信息此前公布的来自英特尔这些设备的规格取代。
英特尔公司， 2004年
2004年8月
订单号： 272543-003
8XC196MH工业电机控制CHMOS单片机
该应用程序。英特尔
包装
手册（订单
数字240800 ）介绍了英特尔的热阻抗
测试方法。
表1.热特性
套餐类型
84引脚PLCC
80引脚QFP
64引脚SDIP
33°C/W
56°C/W
56°C/W
θ
JA
11°C/W
12°C/W
不适用
θ
JC
工艺信息
该器件制造上PX29.5 ，一CHMOS IV
流程。额外的工艺和可靠性信息
可在英特尔的
零部件质量
可靠性
手册（订单号210997 ） 。
所有的热阻抗数据是近似静态
空气条件下功率为1瓦的功耗。值
取决于操作条件会发生变化，
X XX 8乘C 196 XX XX
设备速度：
产品系列：
CHMOS技术
程序存储器选项：
包装 - 类型选项：
温度和烧伤选项：
0 =无ROM ，3 = ROM中， 7 = OTPROM
X = SDIP ， X = PLCC ， X = QFP
X = -40℃ - + 85℃环境
采用英特尔标准的老化
A2759-01
无标记= 16 MHz的
Kx的，的Mx ， NX
图2. 8XC196MH家庭命名
注意：
为了解决很多的包前缀的变量改变的事实，
本文档中的所有包的前缀变量都表示有"x" 。
3
8XC196MH工业电机控制CHMOS单片机
表2. 8XC196MH存储器映射
地址
(1)
0FFFFH
0A000H
09FFFH
02080H
0207FH
0205EH
0205DH
02040H
0203FH
02030H
0202FH
02020H
0201FH
0201CH
0201BH
0201AH
02019H
02018H
02017H
02014H
02013H
02000H
01FFFH
01F00H
1EFFH
300H
2FFH
18H
17H
00H
外部存储器
内部ROM / OTPROM或外部存储器
版权所有
PTS载体
中断向量（上）
ROM / OTPROM安全密钥
版权所有
版权所有（必须包含20H ）
CCB1
版权所有（必须包含20H ）
CCB0
版权所有
中断向量（下）
内部SFR
外部存储器
注册RAM
CPU的SFR
3
1
1
1, 2
1, 2
描述
笔记
注意事项：
1.除非另有说明，写0FFH ，以保留的内存位置和写0保留SFR位。
2.
警告：
内容和/或保留区域的功能可能与未来版本更改
装置。
在位置0000H到02FFH执行3.代码将被强制外部。
4
8XC196MH工业电机控制CHMOS单片机
按功能分类安排表3.信号
地址&数据
AD15 ： 0
编程控制
AINC ＃
CPVER
总线控制&状态
ALE / ADV ＃
BHE ＃ / WRH ＃
BUSWIDTH
INST
准备
RD ＃
WR ＃ / WRL ＃
处理器控制
EA ＃
电力&地
ANGND
V
CC
V
PP
V
REF
V
SS
注意：
EXTINT
NMI
ONCE ＃
RESET＃
XTAL1
XTAL2
PACT ＃
PALE ＃
PBUS15 ： 0
PMODE.3 ： 0
PROG ＃
PVER
输入/输出
P0.0/ACH0
P0.1/ACH1
P0.2/ACH2
P0.3/ACH3
P0.4/ACH4
P0.5/ACH5
P0.6/ACH6/T1CLK
P0.7/ACH7/T1DIR
P1.0/TXD0
P1.1/RXD0
P1.2/TXD1
P1.3/RXD1
P2.0/EPA0
P2.1/SCLK0#/BCLK0
P2.2/EPA1
P2.3/COMP3
P2.4/COMP0
输入/输出（续）
P2.5/COMP1
P2.6/COMP2
P2.7/SCLK1#/BCLK1
P3.7:0
P4.7:0
P5.7:0
P6.0/WG1#
P6.1/WG1
P6.2/WG2#
P6.3/WG2
P6.4/WG3#
P6.5/WG3
P6.6/PWM0
P6.7/PWM1
下面的信号不可用的64引脚封装： P5.1 ， P6.7 ， INST和PWM1 。
5
8XC196MD
工艺信息
该器件制造上PX29.5 ，一CHMOS
III -E的过程。额外的工艺和可靠性Infor公司
息是可用的
英特尔
质量体系
手册。
表2. 8XC196MD存储器映射
描述
外部存储器或I / O
内部ROM / EPROM或外部
内存（由EA决定）
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
PTS载体
上中断向量
ROM / EPROM安全码
272323 – 2
地址
0FFFFH
06000H
5FFFH
2080H
207FH
205EH
205DH
2040H
203FH
2030H
202FH
2020H
201FH
201CH
201BH
201AH
2019H
2018H
2017H
2014H
2013H
2000H
1FFFH
1F00H
1EFFH
0200H
01FFH
0018H
0017H
0000H
x
x
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
版权所有。必须包含20H
（注5 ）
注意：
的EPROM可作为一次性可编程
（ OTPROM ）而已。
CCB1
版权所有。必须包含20H
（注5 ）
CCB0
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
较低的中断向量
SFR公司
外部存储器
488字节RAM寄存器（注1 ）
CPU SFR的（注1。3 ）
图2. 8XC196MD家庭命名
表1.热特性
包
TYPE
PLCC
QFP
θ
ja
35
°
C / W
56
°
C / W
θ
jc
13
°
C / W
12
°
C / W
所有的热阻抗数据是近似的静态空气
在功耗1W的条件。值将发生变化
取决于操作条件和应用。看
英特尔
包装手册
（订单号240800 ）的
英特尔的热阻抗测试方法的说明。
注意事项：
在位置0000H到01FFH执行1.代码会
强制外。
2.保留的内存位置必须包含0FFH ，除非
指出。
3.保留SFR位的位置必须包含0 。
4.参考8XC196MC的SFR描述。
5.警告：保留的内存位置不得
写入或读出。的内容和/或这些某一地址的函数
阳离子可以改变与设备的未来版本。
因此，一个程序，它依赖于一个或一个以上的这些
地点可能无法正常工作。
3
8XC196MD
8XC196MC和8XC196MD
差异
MASK1 INT INT
PEND1寄存器
MASK PI和PI
PEND寄存器
之间存在的某些差别
8XC196MC
和
8XC196MD
INT MASK1
INT PEND1寄存器的8XC196MD中断
面膜和待寄存器如下所示否 -
蒂斯的CAPCOM5 COMP4和CAPCOM4
位为保留位的8XC196MC的PI位
的INT PEND1寄存器将被设置时，
波形发生器和比较模块5事件
而发生在PI MASK的对应位
寄存器中设置的PI中断向量可以采取
当在INT MASK1寄存器中的PI位被置位
该8XC196MC用户手册应该为参考
转制有关中断的详细信息
INT区域1 （ 0031H ）
和INT PEND1 （ 0012H ）
7
6
5
PI
4
3
2
1
0
RSV EXTINT
CAPCOM5 COMP4 CAPCOM4 COMP3 CAPCOM3
该PI MASK PI PEND寄存器包含位
对于比较模块5 （ COMP5 ）波形Gen-
员（ WG ），定时器1溢出（ TFI ）和定时器2
溢出（ TF2 ）屏蔽状态标志的图BE-
低显示了寄存器注意COMP5位
是对8XC196MC的8XC196MC保留位
用户手册应详细内容引用
关于波形发生器模块比较
和计时器
PI MASK （ 1FBEH ）和
PEND （ 1FBCH只读）
5
RSV
4
WG
3
RSV
2
TF2
1
RSV
0
TF1
PI
7
RSV
6
COMP5
RSV
e
保留位必须写为0
读为1
e
此位预留8XC196MC
图5外设中断屏蔽
和状态寄存器
在INT PEND1寄存器中的PI位被置位，如果
波形发生器事件或比较模块5
事件发生时，和相应的PI的MASK位是
设定对于这些事件之一，以产生一个中断
在INT MASK1寄存器，对应的PI位
应的，在PI屏蔽寄存器位的事件必须是
SET
同样，在INT PEND寄存器中的TOVF位
如果设置定时器1或定时器2的溢出和它对应
在PI屏蔽寄存器应的位被置为的EI
疗法这两个事件引起的中断
在INT屏蔽寄存器和它对应TOVF位
在PI MASK应的事件位必须置
当一个PI和或TOVF中断可能neces-
萨里检查比较模块5波
形成发电机定时器1或定时器2事件引起的
中断的PI PEND会给这些信息
灰然而，应当注意的是，读出
PI PEND寄存器将清除寄存器所以符号所指出
维杜阿尔位的PI PEND寄存器必须通过读
加载PI PEND到另一个'影子'寄存器
然后检查'影子'注册看什么
事件发生
RSV
e
保留位必须写为0
e
此位预留8XC196MC
图3中断屏蔽和状态寄存器
PTSSRV和PTSSEL注册
与此类似的还有8XC196MC之间的差异
和8XC196MD PTS寄存器的8XC196MD PTS
寄存器如下通知的CAPCOM5
COMP4和CAPCOM4位的保留位
在PTSSRV的8XC196MC的PI位将被置
当一个波形发生器和比较模块5
的PTS中断结束时和对应的
在PI屏蔽寄存器位被置位的PI PTS向量
器时，可以使用在PTSSEL寄存器将PI位
器设置的8XC196MC用户手册应该是
有关详细信息， PTS引用
PTSSEL （ 0004H ）和PTSSRV （ 0006H ）
15
RSV
14
EXTINT
13
PI
12
CAPCOM5
11
COMP4
10
CAPCOM4
9
8
COMP3 CAPCOM3
7
6
5
4
3
2
1
0
COMP2 CAPCOM2 COMP1 CAPCOM1 COMP0 CAPCOM0 AD DONE TOVF
RSV
e
保留位必须写为0
e
此位预留8XC196MC
图4 PTS选择和服务注册
4
QQ：2580480828 复制
