【93AA76A / B / C ， 93LC76A / B / C ，93C76A/B/C8K的Mi】,IC型号93C76ATE/PG,93C76ATE/PG PDF资料,93C76ATE/PG经销商,ic,电子元器件-51电子网

93AA76A / B / C ， 93LC76A / B / C ，

93C76A/B/C

8K的Microwire兼容串行EEPROM

器件选型表

产品型号

93AA76A

93AA76B

93LC76A

93LC76B

93C76A

93C76B

93AA76C

93LC76C

93C76C

V

CC

范围

1.8-5.5

1.8-5-5

2.5-5.5

4.5-5.5

1.8-5.5

2.5-5.5

4.5-5.5

ORG引脚

No

是的

PE引脚

No

是的

字长

8-bit

16-bit

8-bit

16-bit

8-bit

16-bit

8位或16位

温度范围

I

I，E

I

I，E

套餐

OT

P， SN ， ST ， MS ， MC

产品特点：

低功耗CMOS技术

ORG引脚选择为“ 76℃ ”的版本字长

1024 ×8位的组织'A'设备（无ORG ）

512 ×16位组织'B'设备（无ORG ）

程序使能引脚进行写保护整个

阵列（' 76C '版本）

自定时擦/写周期（包括

自动擦除）

自动ERAL前WRAL

电源开/关数据保护电路

行业标准的3线串行I / O

设备状态信号（ READY / BUSY ）

连续读取功能

百万东/西次

数据保留> 200年

无铅并符合RoHS标准

工作温度范围支持：

- 工业级（I ）

-40 ° C至+ 85°C

- 汽车（ E） -40 ° C至+ 125°C

描述：

Microchip Technology Inc.的93XX76A / B / C器件

是8K位，低电压，串行电可擦除

PROM的（ EEPROM）中。字选择型设备如

该93XX76C取决于外部的逻辑电平

驾驶ORG引脚设置文字的大小。在SOT- 23

封装， 93XX76A设备提供专用的8位

内存组织，而93XX76B设备

提供专用的16位存储器组织。一

编程使能（ PE）引脚允许用户在写保护

整个存储器阵列。先进的CMOS技术

使这些器件非常适用于低功耗，非易失性

内存的应用程序。该93XX系列是可

标准封装，包括8引脚PDIP和SOIC封装，

和先进的封装包括8引脚MSOP ， 6引脚

SOT - 23 ， 8引脚2×3 DFN和8引线TSSOP封装。所有

包无铅并符合RoHS标准。

封装类型（不按比例）

PDIP / SOIC

（P ， SN ）

CS

CLK

DI

DO

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

PE

ORG

V

SS

DO

V

SS

DI

SOT-23

（ OT ）

1

2

3

6

5

4

DFN

（MC）的

V

CC

PE

ORG

V

SS

CS

CLK

DI

DO

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

PE

ORG

V

SS

V

CC

CS

CLK

引脚功能表

名字

CS

CLK

DI

DO

V

SS

PE

ORG

V

CC

芯片选择

串行数据时钟

串行数据输入

串行数据输出

地

项目启用

内存配置

电源

功能

TSSOP / MSOP

（ ST ， MS ）

CS

CLK

DI

DO

1

2

3

4

8

7

6

5

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DS21796H第1页

93AA76A / B / C ， 93LC76A / B / C ， 93C76A / B / C

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

V

CC

.............................................................................................................................................................................7.0V

所有输入和输出w.r.t. V

SS

......................................................................................................... -0.6V到V

CC

+1.0V

储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C

环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C

所有引脚的ESD保护

......................................................................................................................................................≥

4千伏

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏

装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述

本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件

长时间可能会影响器件的可靠性。

表1-1：

DC特性

工业级（I ）：

T

A

= -40 ° C至+ 85°C ，V

CC

= + 1.8V至5.5V

汽车（ E）：T已

A

= -40 ° C至+ 125°C ，V

CC

= + 2.5V至5.5V

民

2.0

0.7 V

CC

-0.3

—

2.4

V

CC

- 0.2

—

典型值

—

500

—

100

—

最大

V

CC

+1

V

CC

+1

0.8

0.2 V

CC

0.4

0.2

—

±1

7

3

—

1

500

—

1

5

单位

V

μA

pF

mA

μA

mA

μA

条件

V

CC

≥

2.7V

V

CC

＆ LT ; 2.7V

V

CC

≥

2.7V

V

CC

＆ LT ; 2.7V

I

OL

= 2.1毫安， V

CC

= 4.5V

I

OL

= 100

μA,

V

CC

= 2.5V

I

OH

= -400

μA,

V

CC

= 4.5V

I

OH

= -100

μA,

V

CC

= 2.5V

V

IN

= V

SS

或V

CC

V

OUT

= V

SS

或V

CC

V

IN

/V

OUT

= 0V

（注1 ）

T

A

= 25 ° C，F

CLK

= 1兆赫

F

CLK

= 3兆赫，V

CC

= 5.5V

F

CLK

= 2兆赫，V

CC

= 2.5V

F

CLK

= 3兆赫，V

CC

= 5.5V

F

CLK

= 2兆赫，V

CC

= 3.0V

F

CLK

= 2兆赫，V

CC

= 2.5V

我 - 温度

ê - 温度

CLK = CS = 0V

ORG = DI = PE = V

SS

或V

CC

（注2）（注3）

（注1 ）

93AA76A / B / C ， 93LC76A / B / C

93C76A/B/C

所有参数适用于在特定网络版

的范围内，除非另有说明。

参数。

符号

号

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D8

D9

V

IH

1

V

IH

2

V

IL

1

V

IL

2

V

OL

1

V

OL

2

V

OH

1

V

OH

2

I

LI

I

LO

C

IN

,

C

OUT

参数

高电平输入电压

低电平输入电压

低电平输出电压

高电平输出电压

输入漏电流

输出漏电流

引脚电容（所有输入/

输出）

I

CC

写写电流

I

CC

读取读取电流

D10

I

CCS

待机电流

D11

V

POR

V

CC

电压检测

—

1.5

3.8

—

V

注1 ：

2:

3:

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

ORG和PE引脚不是“A”或“B”版本。

READY / BUSY状态必须从DO中清除，请参阅

第3.4节“数据输出（ DO ） ” 。

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表1-2：

AC特性

工业级（I ）：

T

A

= -40 ° C至+ 85°C ，V

CC

= + 1.8V至5.5V

汽车（ E）：T已

A

= -40 ° C至+ 125°C ，V

CC

= + 2.5V至5.5V

民

—

最大

3

2

1

—

单位

兆赫

ns

ms

条件

4.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V

2.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 4.5V

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 2.5V

4.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V

2.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 4.5V

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 2.5V

4.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V

2.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 4.5V

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 2.5V

4.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V

2.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 4.5V

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 2.5V

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V

4.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V

2.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 4.5V

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 2.5V

4.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V

2.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 4.5V

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 2.5V

4.5V

≤

V

CC

< 5.5V ， CL = 100 pF的

2.5V

≤

V

CC

< 4.5V ， CL = 100 pF的

1.8V

≤

V

CC

< 2.5V ， CL = 100 pF的

4.5V

≤

V

CC

＆ LT ; 5.5V ，

（注1 ）

1.8V

≤

V

CC

＆ LT ; 4.5V ，

（注1 ）

4.5V

≤

V

CC

< 5.5V ， CL = 100 pF的

2.5V

≤

V

CC

< 4.5V ， CL = 100 pF的

1.8V

≤

V

CC

< 2.5V ， CL = 100 pF的

擦除/写模式（ AA和LC

版本）

擦/写模式

（ 93版）

ERAL模式， 4.5V

≤

V

CC

≤

5.5V

WRAL模式， 4.5V

≤

V

CC

≤

5.5V

所有参数适用于在特定网络版

的范围内，除非另有说明。

参数。

符号

号

A1

F

CLK

参数

时钟频率

A2

T

长实

时钟高电平时间

200

250

450

100

200

450

50

100

250

0

250

50

100

250

50

100

250

—

A3

T

CKL

时钟低电平时间

—

A4

T

CSS

片选建立时间

—

A5

A6

A7

T

CSH

T

CSL

T

DIS

芯片选择保持时间

片选低电平时间

数据输入建立时间

—

A8

T

DIH

数据输入保持时间

—

A9

T

PD

数据输出的延迟时间

100

250

400

100

200

300

500

5

2

6

15

—

A10

A11

T

CZ

T

SV

数据输出禁止时间

状态有效时间

—

A12

A13

A14

A15

A16

注1 ：

2:

T

WC

T

WC

T

EC

T

WL

—

项目周期

—

耐力

1M

周期25 ° C，V

CC

= 5.0V,

（注2 ）

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

此应用程序没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用

应用程序，请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型

从www.microchip.com 。

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图1-1：

CS

V

IH

V

IL

V

IH

CLK

V

IL

T

DIS

V

IH

DI

V

IL

T

PD

DO

（READ ）

DO

（ PROGRAM ）

V

OH

V

OL

V

OH

状态有效

V

OL

T

SV

是相对于CS 。

T

CZ

T

SV

T

PD

T

CZ

T

DIH

T

CSS

T

长实

T

CKL

T

CSH

同步数据时序

注意：

表1-3：指令集×16组织（ 93XX76B或93XX76C有ORG =

1)

指令

读

EWEN

抹去

ERAL

写

WRAL

EWDS

SB

1

操作码

10

00

11

00

01

00

X

1

X

1

X

0

地址

A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1

x

A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0

X

A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1

0

x

DATA IN

—

D15-D0

—

数据输出

D15-D0

高-Z

（ RDY / BSY ）

高-Z

所需物品。 CLK

周期

29

13

29

13

表1-4：指令集×8组织（ 93XX76A或93XX76C有ORG =

0)

指令

读

EWEN

抹去

ERAL

写

WRAL

EWDS

SB

1

操作码

10

00

11

00

01

00

X

1

X

1

X

0

地址

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1

x

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0

x

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

1

0

x

DATA IN

—

D7-D0

—

数据输出

D7-D0

高-Z

（ RDY / BSY ）

高-Z

所需物品。 CLK

周期

22

14

22

14

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2.0

功能说明

2.2

数据输入/输出（ DI / DO ）

ORG引脚（ 93XX76C ）连接到V

CC

,

的（ X16 ）的组织被选中。当它连接

到地上，（ X8 ）的组织被选中。指令

，地址和要写入的数据被移入DI

销上的时钟（CLK）的上升沿。 DO引脚为

在高Z状态正常举行读书时除外

从设备的数据，或者检查就绪时/

在编程操作期间BUSY状态。该

READY / BUSY状态可以在擦除验证/

写经查询DO引脚工作; DO低指示

该程序仍在进行中，而做高

表示该设备已准备就绪。 DO将进入高-Z

国家对CS的下降沿。

它可以连接在数据输入和数据输出引脚

在一起。然而，随着这种配置，可以

一个“总线冲突， ”出现了“假零”时

那之前的读操作时，如果A0为逻辑高

的水平。在这种条件下的电压电平见于

数据输出是不确定的，并且将取决于相对

的数据输出阻抗与信号源的驱动

A0 。的较高电流源输出能力

驱动，较高的数据输出引脚上的电压。在

命令，以限制该电流，电阻器应

连接DI和DO之间。

2.3

数据保护

2.1

启动条件

起始位的检测设备，如果CS和DI是

兼具高相对于CLK的用于正边缘

第一次。

之前检测到启动条件， CS ， CLK和DI

在任何组合可以改变（除非是一

启动条件），而不会导致任何设备

操作（读，写，擦除， EWEN ， EWDS ， ERAL

或WRAL ）。当CS为高电平时，该装置是不

在待机模式下更长的时间。

一个指令到启动条件将只

执行，如果需要的操作码，地址和数据位

对于任何特定指令被移入。

注意：

当准备发送的指令，

无论是CLK或DI信号电平必须是

在逻辑低是CS引脚翻转为高电平。

所有工作模式下被抑制时， V

CC

以下是

1.5V为“ 93AA ”和“ 93LC ”设备的典型电压

或者3.8V为“ 93 ”的设备。

该EWEN和EWDS命令授予其他

保护过程中发生意外编程

正常操作。

注意：

为增加保护，一个EWDS

命令应之后进行

每个写操作和一个外部10

k下拉电阻的保护应该是

添加到CS引脚。

开机后，设备会自动处于EWDS

模式。因此，一个

EWEN

指令必须是

前的初始执行

抹去

or

写

指令

可以被执行。

注意：

为了防止意外写入阵列中

在93XX76C设备，设置PE引脚到

逻辑低电平。

框图

V

CC

V

SS

地址

解码器

内存

ARRAY

地址

计数器

数据寄存器

DI

ORG *

CS

PE *

CLK

时钟

注册

模式

解码

逻辑

产量

卜FF器

DO

* ORG和PE的投入不提供

A / B设备。

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