A8835
照片FL灰电容充电器
用可编程电流限制和IGBT驱动器
特点和优点
八个级别，从数字可编程电流限制
550毫安至1.75
输出二极管的前低电压检测反馈
泄漏
无需外部下拉电阻需要
电力与1锂离子或2碱性/镍氢/镍镉电池
低静态电流消耗（ 1
μA
Max在关断模式下）
零电压切换为低损失
可调输出电压
集成的IGBT驱动器与触发器
充电完成指示
>75 ％的效率
低调（0.75毫米高） 3毫米× 3毫米TDFN
10触点封装
描述
该A8835是一款高度集成的IC，可收取照相闪光灯
电容数字和胶片相机。集成MOSFET
开关驱动变压器的反激式拓扑。这也
特点是便于快速集成的IGBT驱动器
放电功能并节省电路板空间。
CHARGE（充电）引脚使A8835并启动充电
的输出电容器。当指定的输出电压为
达到时， A8835停止充电，直到充电销
再次触发。该 NE脚是漏极开路指示器
DO
当达到指定的输出电压。
峰值电流限制可调节至8不同水平
550毫安和1.75之间，由时钟CHARGE（充电）引脚。
这使用户可以在低电池甚至在操作闪光灯
电压。
该A8835可以用两个碱性/镍氢/镍镉蓄电池或一种使用
单节Li +电池连接到变压器初级。
将VIN引脚连接到3.0至5.5 V电源供电，它可以是
为系统导轨或锂离子电池，如果使用的话。
的A8835可在一个非常低的轮廓（ 0.75mm）组合
10接触3毫米× 3毫米TDFN封装，非常适用
对于空间受限的应用。它是铅（Pb ）免费，以
100 ％雾锡电镀引脚框和具有裸露焊盘
增强的热耗散。
应用范围：
数码相机闪光灯
胶片相机闪光灯
手机闪存
紧急频闪灯
包装： 10接触TDFN封装，带有裸
散热垫（后缀EJ ）
近似规模
典型应用
V
BIAS
3.0 5.5 V
V
BATT
1.5 5.5 V
+
CIN
4.7
μF
N =10.2
T1
D1
R1
R2
V
OUT
COUT
100
μF
330 V
V
BIAS
3.0 5.5 V
T1
D1
R1
R2
V
OUT
R4
100 k
C1
0.1
μF
150 k
1%
150 k
1%
R4
C1
0.1
μF
CIN
4.7
μF
150 k
COUT
100 k
VIN
收费
150 k
SW
FB
VIN
收费
SW
FB
A8835
DONE
TRIGGER
GND
1.20 k
1%
R3
A8835
DONE
R3
1.20 k
IGBTDRV
以IGBT栅极
TRIGGER
GND
IGBTDRV
以IGBT栅极
图1.典型的电路有独立的电源变压器
A8835 -DS ，第1版
图2.典型电路单电源供电
A8835
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用可编程电流限制和IGBT驱动器
选购指南
10引脚TDFN
*联系快板额外的包装选项
产品型号
A8835EEJTR-T
包
包装*
1500件/ 7项。卷轴
绝对最大额定值
特征
符号
笔记
直流电压。 （V
SW
被自夹持由一个内部
有源钳位，并允许超过40伏特能很好地协同
荷兰国际集团的反激式尖峰的持续时间。最大可重复
在反激尖峰能量： 0.5
μJ
在频率
≤
400千赫）。
等级
单位
SW引脚
V
SW
-0.3 40
V
IGBTDRV销
FB引脚
所有其他引脚
工作环境温度
最高结温
储存温度
V
IGBTDRV
V
FB
V
X
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
-0.3到V
IN
+ 0.3
-0.3到V
IN
-0.3 7
-40到85
150
-55到150
V
V
V
C
C
C
封装热特性
特征
封装热阻
符号
R
θJA
测试条件*
在4层PCB ，基于JEDEC标准
评级单位
45
摄氏度/ W
*更多信息，请快板网站上。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
www.allegromicro.com
2
A8835
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用可编程电流限制和IGBT驱动器
功能框图
SW
VIN
DCM
探测器
（的dV / dt = 0 ）
控制逻辑
18
μs
H
L
触发定时器
Q
S
SET
Q
40 V
DMOS
CMP2
I
LIM
比较
收费
I
LIM
解码器
100 kΩ
R
CLR
Q
可调整的
参考
启用
Q
Q
SET
S
R
FB
CMP1
CLR
DONE
VIN
TRIGGER
单稳
100 kΩ
20 kΩ
1.2 V
IGBTDRV
GND
终端列表表
器件的引脚输出图
数
1,10
2
NC
IGBTDRV
VIN
GND
收费
1
2
3
4
5
10
NC
9
FB
名字
NC
功能
无连接。
输入电压。连接到3至5.5 V偏置电源。去耦V
IN
电压0.1
μF
陶瓷电容放置在靠近该引脚。
接地装置
充电使能和限流串行编程引脚。设置此
引脚为低电平，关闭芯片。
排水内部DMOS开关的连接。连接到反式
以前的初级绕组。
集电极开路输出，拉低时输出达到目标
价值和充电高。在充电过程中或当时─变高
曾经电量不足。
输出电压反馈
裸露焊盘以增强散热。连接
接地平面。
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IGBTDRV IGBT驱动器栅极驱动输出。
VIN
GND
收费
SW
3
4
5
6
7
8
9
–
PAD
8
DONE
7
TRIGGER
6
SW
TRIGGER频闪信号输入
DONE
FB
PAD
3
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用可编程电流限制和IGBT驱动器
显示规格从保障
分钟。
3
V
IN
升起
充电
充电完成
关机（V
收费
= 0 V, V
TRIGGER
= 0 V)
2.55
–
–
–
–
1.58
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2
–
初始脉冲
随后的脉冲
20
0.2
0.2
–
–
32
μA
进入 针
DONE
V
FB
= 1.205 V
–
TYP 。 MAX 。单位
–
2.65
150
1.5
1
0.01
1.75
1.58
1.4
1.22
1.05
0.86
0.7
0.55
0.27
–
18
18
33
–
–
–
–
–
54
–
–
5.5
2.75
–
–
10
1
1.93
–
–
–
–
–
–
–
–
1
–
–
–
–
0.8
–
–
–
–
1
100
V
V
mV
mA
μA
μA
A
A
A
A
A
A
A
A
Ω
μA
μs
μs
μA
V
V
μs
μs
μs
μs
μA
mV
V
nA
Ω
Ω
μA
V
V
ns
ns
ns
ns
V / μs的
电气特性
有效的V
IN
= 3.3 V ，T
A
= 25°C ，除非
40°C
至85 ℃的环境中，除非另有说明
特征
电源电压*
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
电源电流
符号
V
IN
V
UVLO
V
UVLOHYS
I
IN
测试条件
原边电流限制
（在CHARGE引脚ILIM时钟输入）
SW导通电阻
SW漏电流*
关机超时
交换机上的超时
充电输入电流
充电输入电压*
ILIM时钟高电平时间在CHARGE引脚
ILIM时钟低电平时间在CHARGE引脚
总ILIM建立时间
输出漏电流*
DONE
输出低电压*
DONE
FB电压阈值*
FB输入电流
IGBT驱动器
IGBTDRV导通电阻为VIN
IGBTDRV导通电阻到GND
触发输入电流
I
SWLIM1
I
SWLIM2
I
SWLIM3
I
SWLIM4
I
SWLIM5
I
SWLIM6
I
SWLIM7
I
SWLIM8
R
DS（ON ） SW
V
IN
= 3.3 V，I
D
= 800毫安
I
SWLKG
V
SW
= 35 V
t
关（ MAX）的
t
开（ MAX）的
I
收费
V
收费
= V
IN
V
CHARGE （H ）
V
CHARGE （ L）
t
ILIM1(H)
t
ILIM （H ）
t
ILIM （L）的
t
ILIM （ SU ）
I
DONELKG
V
DONE （ L）
V
FB
I
FB
1.187 1.205 1.223
–
–120
–
–
–
–
2
–
–
–
–
–
–
5
6
33
–
–
30
30
70
70
20
–
–
–
–
0.8
–
–
–
–
–
R
DS（ON ）I -V
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V, V
TRIGGER
= V
IN
R
DS（ON ）I -G
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V, V
TRIGGER
= 0 V
I
TRIGGER
V
TRIGGER
= V
IN
V
触发器（H）的
触发输入电压*
V
触发器（L）的
传播延迟，瑞星
t
Dr
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
传播延迟，落
t
Df
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出上升时间
t
r
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出下降时间
t
f
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
的dV / dt门限为ZVS比较
dv / dt的
测量SW引脚
*规格在范围T
A
= -40 ° C至85°C保证通过设计和特性。
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操作时序图
V
UVLO
VIN
收费
SW
目标V
OUT
V
OUT
DONE
TRIGGER
IGBTDRV
A
B
C
D
E
F
活动说明：
A.
B.
C.
D.
E.
F.
开始拉CHARGE高收费，前提是V
IN
是V以上
UVLO
的水平。
充电站时， V
OUT
达到目标电压。 变为低电平时，信号的
DONE
充电过程的完成。
开始一个新的充电过程，在所述充电端子由低到高的跳变。
拉CHARGE为低电平，将在低功耗待机模式的控制器。
未开始充电，因为V
IN
低于V
UVLO
级充电时变为高电平。
经过V
IN
那张高于V
UVLO
，在CHARGE引脚另一个低到高的过渡
开始充电需要。
IGBT驱动时序定义
50%
50%
TRIGGER
t
Dr
t
r
90%
t
Df
t
f
90%
10%
IGBTDRV
10%
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