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ABV0235/-37/-38/-39
750kHz的 - 800MHz的低相位噪声倍频VCXO
通用低相位噪声的IC
特点
可选择750kHz的800MHz的范围内。
低相位噪声输出( @ 10kHz的频率
胶印, -142dBc / Hz的为19.44MHz , -125dBc / Hz时
155.52MHz , -115dBc / Hz的为622.08MHz的) 。
CMOS ( ABV0237 ) , PECL ( ABV0235和
ABV0238 )或LVDS ( ABV0239 )输出。
12 25MHz的晶振输入。
没有外部负载电容和变容二极管需要。
输出使能选择。
宽拉范围( +/- 200ppm的)
可选择的1/16至32倍倍频。
工作电压为3.3V 。
采用16引脚封装(TSSOP或3x3mm的QFN ) 。
引脚配置
( TOP VIEW )
VDD
XIN
XOUT
SEL3^
SEL2^
OE
VCON
GND
1
2
1
6
1
5
1
4
1
3
1
2
1
1
1
0
9
SEL0^
SEL1^
GND
CLKC
VDD
CLKT
GND
GND
ABV023x
SEL0 ^ / VDD *
10
3
4
5
6
7
8
该ABV0235 ( PECL倒置OE ) , ABV0237
(CMOS) , ABV0238 ( PECL )和ABV0239 (LVDS)
是高性能和低相位噪声压控石英振荡器IC
芯片。它们提供的相位噪声性能低
为-125dBc在10kHz偏移量(在155MHz的) ,通过多
行走输入晶振频率高达32倍。该
宽拉范围( +/- 200ppm的)和非常低的抖动
使它们非常适用于广泛的应用,
包括SONET / SDH和FEC 。他们接受的乐趣
damental并联谐振模式的晶体从12到
25MHz.
^:
*:
XOUT
SEL3^
SEL2^
OE
12
13
14
15
16
11
9
8
7
6
5
SEL1^
描述
XIN
VDD / GND *
GND
CLKC
VDD
CLKT
A023x
1
2
3
4
VCON
GND
GND
框图
SEL
OE
Vi
n
X+
X-
振荡器
扩音器
w/
集成
变容二极管
PLL
(相
锁定
环)
内部上拉
在3×3包, ABV0235 / -38没有SEL0可供选择:引脚
10 VDD ,引脚11是GND 。然而, ABV0237 / -39有SEL0 (引脚
10) ,和PIN11为VDD。见引脚分配表的详细信息。
输出使能逻辑电平
产品编号
ABV0238
ABV0235
ABV0237
ABV0239
OE
0(默认)
1
0
1(默认)
三州
三州
GND
状态
输出启用
Q
Q
输出启用
PLL旁路
ABV023x
OE输入:通过PECL电平ABV0238定义的逻辑状态
通过CMOS电平ABV0237 / -39定义的逻辑状态
。 30332埃斯佩兰萨牧场圣玛格丽塔,钙92688电话: 949-546-8000传真: 949-546-8001
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05年3月21日第1页
ABV0235/-37/-38/-39
750kHz的 - 800MHz的低相位噪声倍频VCXO
通用低相位噪声的IC
频率选择表
SEL3
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
SEL2
0
1
1
0
0
0
1
1
1
1
SEL1
1
1
1
0
1
1
0
0
1
1
SEL0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
选择的乘数
散热片×32
FIN / 8
散热片×2
FIN / 2
FIN / 16
散热片×4
FIN / 4
鳍×8
鳍×16
无乘法
注意:
SEL0不可用(始终为“ 1”)为ABV0235和ABV0238在3x3mm的包
引脚说明ABV0235和ABV0238 (见ABV0237 / 39下一页)
名字
XIN
XOUT
OE
VCON
GND
CLKT
CLKC
SEL0
SEL1
SEL2
SEL3
VDD
TSSOP
引脚数
2
3
6
7
8,9,10,14
11
13
16
15
5
4
1, 12
采用3x3mm QFN
引脚数
12
13
16
1
2,3,4,8,11
5
7
无法使用
9
15
14
6,10
TYPE
I
I
I
I
P
O
O
I
I
I
I
P
描述
晶振输入。看到水晶规格4页。
晶振输出。看到水晶规格4页。
输出使能引脚(见第1页OE逻辑状态表) 。
电压控制输入。
地面上。
真正的输出PECL
互补输出PECL 。
乘数选择引脚。这些引脚有一个内部上拉
这将默认SEL为“1”时,没有连接到GND 。
+ 3.3V电源。
。 30332埃斯佩兰萨牧场圣玛格丽塔,钙92688电话: 949-546-8000传真: 949-546-8001
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05年3月21日第2页
ABV0235/-37/-38/-39
750kHz的 - 800MHz的低相位噪声倍频VCXO
通用低相位噪声的IC
引脚说明ABV0237 / -39 (见ABV0235 / 38上一页)
名字
XIN
XOUT
OE
VCON
GND
CLKT
CLKC
SEL0
SEL1
SEL2
SEL3
VDD
TSSOP
引脚数
2
3
6
7
8,9,10,14
11
13
16
15
5
4
1, 12
采用3x3mm QFN
引脚数
12
13
16
1
2,3,4,8
5
7
10
9
15
14
6,11
TYPE
I
I
I
I
P
O
O
I
I
I
I
P
描述
晶振输入。看到水晶规格4页。
晶振输出。看到水晶规格4页。
输出使能引脚(见第1页OE逻辑状态表) 。
电压控制输入。
地面上。
真正的输出LVDS ( ABV0239 )
(N / C为ABV0237 )
互补输出LVDS ( ABV0239 )
( CMOS出来ABV0237 ) 。
乘数选择引脚。这些引脚有一个内部上拉
这将默认SEL为“1”时,没有连接到GND 。
+ 3.3V电源。
电气规格
1.绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压, DC
输出电压,直流
储存温度
工作环境温度*
结温
焊接温度(焊接, 10秒)
ESD保护,人体模型
符号
V
DD
V
I
V
O
T
S
T
A
T
J
分钟。
-0.5
-0.5
-65
-40
马克斯。
4.6
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
150
85
125
260
2
单位
V
V
V
°C
°C
°C
°C
kV
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置,并影响了产品的可靠性。这些条件代表了一个额定值,以及设备在这些功能操作或任何其他CON-
ditions上述本说明书中提到的操作限制是不是暗示。
*
注意:
工作温度是由设计,所有部件(商业和工业)保证,但测试的唯一的商业档次。
。 30332埃斯佩兰萨牧场圣玛格丽塔,钙92688电话: 949-546-8000传真: 949-546-8001
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05年3月21日第3页
ABV0235/-37/-38/-39
750kHz的 - 800MHz的低相位噪声倍频VCXO
通用低相位噪声的IC
2.水晶规格
参数
晶体谐振器频率
水晶装载评级
水晶Pullability
推荐ESR
符号
F
XIN
C
L( XTAL )
C
0
/C
1 ( XTAL )
R
E
条件
水货基本模式
在VCON = 1.65V
AT切割
AT切割
分钟。
12
典型值。
9.5
马克斯。
25
250
30
单位
兆赫
pF
-
注意:
水晶装载的评价: 9.5pF是使晶体从VCXO芯片在VCON = 1.65V看到。据推测,该晶体将在公称
最终频率在此负载。如果晶体需要更多的负载是在额定频率,额外的负载必须从外部补充。然而,这可能
减少拉范围。
3.电压控制晶体振荡器
参数
VCXO稳定时间*
VCXO的调谐范围
CLK输出pullability
VCXO的调谐特性
拉线性范围
VCON引脚输入阻抗
VCON调制带宽
符号
T
VCXOSTB
条件
从电源有效
F
XIN
= 12 - 25MHz的;
XTAL
0
/C
1
& LT ; 250
0V
VCON
3.3V
VCON=1.65V,
±1.65V
分钟。
典型值。
马克斯。
10
单位
ms
PPM
PPM
PPM / V
%
k
千赫
500
±200
150
10
2000
25
0V
VCON
3.3V , -3dB
注意:
带星号( * )的参数代表的名义特征数据,并没有生产测试,以任何特定的限制。
4.通用电气规格
参数
电源电流,
动态(带
加载输出)
工作电压
输出时钟
占空比
短路
当前
符号
I
DD
V
DD
条件
PECL / LVDS / CMOS
Fout<24MHz
24MHz<Fout<96MHz
96MHz<Fout<800MHz
分钟。
典型值。
马克斯。
25/25/15
65/45/30
100/80/40
3.63
55
55
55
单位
mA
V
%
mA
2.97
@ 50% V
DD
( CMOS)的
@ 1.25V ( LVDS )
@
V
DD
- 1.3V ( PECL )
45
45
45
50
50
50
±50
。 30332埃斯佩兰萨牧场圣玛格丽塔,钙92688电话: 949-546-8000传真: 949-546-8001
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05年3月21日第4页
ABV0235/-37/-38/-39
750kHz的 - 800MHz的低相位噪声倍频VCXO
通用低相位噪声的IC
5.抖动规范
参数
条件
随着电容去耦BE-
吐温VDD和GND 。
超过10,000次。
频率
19.44MHz
77.76MHz
155.52MHz
622.08MHz
19.44MHz
77.76MHz
155.52MHz
622.08MHz
155.52MHz
622.08MHz
分钟。
典型值。
2.2
4.5
4.5
5.0
17
25
27
35
2.5
2.5
马克斯。
单位
周期抖动均方根
ps
周期抖动峰到
PEAK
1
随着电容去耦BE-
吐温VDD和GND 。
超过10,000次。
集成12千赫至20兆赫
ps
集成RMS抖动
2
4
4
ps
6.相位噪声指标
参数
噪音相对相位
载波
(典型值)
频率
19.44MHz
77.76MHz
155.52MHz
622.08MHz
@10Hz
-80
-72
-65
-55
@100Hz
-108
-103
-95
-85
@1kHz
-132
-122
-120
-109
@10kHz
-142
-130
-125
-115
@100kHz
-150
-125
-121
-110
单位
dBc的/赫兹
测量VCON = 0V相位噪声:注
7. CMOS电气特性
参数
输出驱动电流
输出时钟的上升/下降时间
符号
I
OH
I
OL
条件
V
OH
= V
DD
-0.4V, V
DD
=3.3V
V
OL
= 0.4V, V
DD
= 3.3V
0.3V 3.0V与15 pF负载
分钟。
10
10
典型值。
马克斯。
单位
mA
mA
ns
2.4
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