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Am29LV320D
数据表
RETIRED
产品
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计,
S29AL032D取代Am29LV320D ,是厂家推荐的迁移路径。请参考
到S29AL032D数据表的规格和订购信息。可用性本文档中
换货保留仅供参考,历史的目的。
2005年4月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
23579
调整
C
修订
8
发行日期
二○○五年十二月十四日
这页有意留为空白。
Am29LV320D
32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位)
CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计, S29AL032D取代Am29LV320D ,是厂家推荐的迁移路径。请
参考S29AL032D数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
安全硅
- 64字节扇区大小;更换/替代品
设备(如的MirrorBit
)有256个字节。
工厂锁定和识别:
16个字节( 8字)
可用于安全的,随机的工厂电子序列
数;可验证的工厂通过锁定
自动选择的功能。 ExpressFlash选项允许
整个部门可用于工厂数据保护
客户可锁定:
可以一次进行编程和
然后在从出厂后永久锁定
AMD
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
部门架构
- 8个8 KB的行业
- 六十三64 KB的行业
顶部或底部启动块
在0.23微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能
- 存取时间快90纳秒
- 计划时间:为7μs /字典型的利用加速
功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
按最低保证百万次擦写
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
非部门暂停
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护
状态
- 加速度( ACC )功能提供加速
节目时间
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
23579
启:
C
Amendment/8
发行日期:
二○○五年十二月十四日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
D A T A中文ê (E T)
概述
该Am29LV320D是32兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 2,097,152字
每一比特或4,194,304字节,每字节8位。字
模式数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节模式数据
出现在DQ0 - DQ7 。该装置被设计成
在系统编程与标准3.0伏V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该装置可具有90或接入时间
120纳秒。该器件采用48引脚TSOP和
48球FBGA封装。标准控制引脚芯片
使能(CE # ),写使能(WE # )和输出使能
( OE # ) - 控制正常的读写操作,并
防止总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
或两者。客户可锁定部分可利用的硒
固化硅业作为奖金的空间,阅读和令状
荷兰国际集团像任何其他闪存部门,或永久
锁定自己的代码中有。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
完成后,该装置自动返回到
阅读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址是稳定在指定的时间量,
该器件进入
自动休眠模式。
系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
模式。
Am29LV320D特点
安全硅行业
是一个额外的扇区capa-
BLE被永久锁定, AMD或定做
ERS 。该
安全硅标志位
( DQ7 )是
永久设置为1 ,如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
注意, Am29LV320D具有
一个安全硅扇区大小为64字节。 AMD
指定为替代或substi-设备
tutes ,如Am29LV320M ,有256个字节。
这应该系统设计时加以考虑。
工厂锁定部分提供了几个选项。在硒
固化的硅扇区可存储一个安全的,随机的16
字节ESN (电子序列号) ,客户代码
(通过AMD的ExpressFlash服务编程)
2
Am29LV320D
二○○五年十二月十四日
D A T A中文ê (E T)
目录
连续性规格...............................................我........
欲了解更多信息............................................... ..................我
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
架构优势...................................... 1
性能特点............................... 1
软件特性................................................ 1 .....
硬件功能................................................ 1 ....
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29LV320D设备总线操作.............................. 10
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
表13.自动选择码............................................. .............. 25
进入安全硅行业/退出安全硅行业
命令序列................................................ .............. 25
字节/字编程命令序列............................. 26
解锁绕道命令序列.................................. 26
图4.程序运行............................................. ............ 27
芯片擦除命令序列........................................... 27
扇区擦除命令序列........................................ 27
擦除暂停/删除恢复命令........................... 28
图5.擦除操作............................................. ................. 28
命令定义................................................ ............. 29
表14. Am29LV320D命令定义............................. 29
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 30
图6.数据#投票算法........................................... ....... 30
字/字节配置.............................................. .......... 11
对于读阵列数据要求................................... 11
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行.......................................... 11
自选功能................................................ ........... 11
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2.前引导扇区地址( Am29LV320DT ) .................. 13
表3.前启动安全硅扇区地址................... 14
表4.底部引导扇区地址( Am29LV320DB ) ............. 14
表5.底部引导安全硅扇区地址.............. 15
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 31
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 31
图7.切换位算法............................................ ............ 31
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 31
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 32
表15.写操作状态............................................ ....... 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图8.最大负过冲波形...................... 34
图9.最大正过冲波形........................ 34
自选模式................................................ ..................... 16
表6.自动选择代码(高压法) ........................ 16
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
CMOS兼容................................................ .................. 35
零功耗闪存.............................................. ................... 36
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 36
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 36
部门/部门块保护和unprotection的.................. 17
表7.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 17
表8.底部引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的........................................... 17地址
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图12.测试设置............................................. ....................... 37
表16.测试规范............................................. ............ 37
图13.输入波形和测量水平................. 37
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
临时机构撤消............................................... ... 18
图1.临时机构撤消操作........................... 18
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 19
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
只读操作.............................................. ............. 38
图14.读操作时序............................................ ... 38
安全硅扇区闪存地区....................... 20
工厂锁定:安全硅行业编程
并保护在工厂............................................. .. 20
客户可锁:安全硅行业没有编程
或受保护的工厂............................................. ..... 20
图3.安全硅部门保护验证.............................. 21
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 39
图15.复位时序............................................. .................. 39
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ... 40
图16. BYTE #时序进行读操作............................ 40
图17. BYTE #时序写操作............................ 40
硬件数据保护............................................... ....... 21
低VCC写禁止.............................................. ........... 21
写脉冲“毛刺”保护............................................ 21
逻辑禁止................................................ ...................... 21
上电写禁止............................................. ............ 21
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表9. CFI查询标识字符串.......................................... 22
表10.系统接口字符串............................................ ....... 22
表11.设备几何定义............................................ 23
表12.主要供应商特定的扩展查询...................... 24
擦除和编程操作.............................................. ... 41
图18.程序操作时序..........................................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图21.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
42
43
44
45
45
临时机构撤消............................................... ...... 46
图23.临时机构撤消时序图.............. 46
图24.加速程序时序图.......................... 46
图25.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 47
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ................. 25
二○○五年十二月十四日
备用CE #控制的擦除和编程操作........ 48
图26.备用CE #控制的写
Am29LV320D
3
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