多层陶瓷电容器
X7R
系列/型号：
芯片
订货代码： B37921 ...
发布日期：
2005-12-05
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识别/分类1： （标题1）
识别/分类2 ： （头2 ）
订购代码：
系列/型号：
初步数据（可选） ： （如果有必要）
部门：
发布日期：
编制：
释放签署PE ：
释放签署QS ：
修改/备注：
KB VS PE
25.10.2005
Huainig先生
恩格尔博士
Slakhorst博士
xx
xx
xx
多层陶瓷电容器
HighCV ， X7R 1206 50 V
B37872K5105K0**
芯片
EPCOS AG 2005.复制，出版和传播本数据手册，本协议罩和信息
所载没有爱普科斯事先明确同意，是禁止的。
多层陶瓷电容器
X7R
特点
■
■
■
■
芯片
容积效率高
非线性电容变化
绝缘电阻高
高脉冲强度
应用
■
阻塞和连接
■
脱钩
■
干扰抑制
终止
■
焊接：镍隔板端子（NI ）的外壳尺寸0402到1210
银钯终止（银钯）的外壳尺寸1812和2220
（电容值
≤1 μF)
■
对于导电粘合：银钯终止（银钯）的所有情况下，要求尺寸
选项
■
可应要求提供替代电容公差
配送方式
■
纸板和吸塑带（吸塑带芯片厚度
≥1.2 ±0.1
毫米，外形尺寸
≥1210),
180毫米和330毫米的卷筒可
■
散装案例外壳尺寸0603 （ 16 V ， 25 V ， 50 V）和0805 （ 50 V ）
电气数据
温度特性
气候类别（ IEC 60068-1 ）
标准
电介质
额定电压
1)
测试电压
电容范围
2)
/ E系列
马克斯。相对电容变化
耗散因子（极限值）
绝缘电阻
3)
在+ 25
°C
绝缘电阻
3)
在125
°C
时间常数
3)
在+ 25
°C
时间常数
3)
在125
°C
工作温度范围
老龄化
4)
1 ）注意：在AC线路无操作。
2 ）参见HighCap系列数据手册或上网
V
R
V
TEST
C
R
ΔC/C
黄褐色
δ
R
插件
R
插件
τ
τ
T
op
X7R
55/125/56
EIA
2级
10, 16, 25, 50,100, 200, 500
2.5 ·
V
R
/5 s
100 pF的... 1 μF （ E3 / E6 ）
±15
<25 · 10
–3
<35 · 10
–3
对于16 V
>10
5
>10
4
>1000
>100
–55 … +125
是的
VDC
VDC
%
MΩ
MΩ
s
s
°C
3）为
C
R
>10 nF的时间常数
τ
=
C
·
R
插件
给出。
4 ）请参阅数据手册2003 “一般技术部历史。通知“ ， 197页。
请阅读
注意事项和警告
和
2
重要提示
在这个文件的结尾。
2
2
12/0505
多层陶瓷电容器
芯片， X7R
系列/型号：
发布日期：
芯片
2009年2月
本数据表中提出了以下产品被撤回。
替代产品：见www.epcos.com/withdrawal_mlcc
订购代码
B37872K5224K072
B37931K5103K001
B37931K5123K060
替代产品
日期
提款
2009-06-26
2009-06-26
2009-06-26
最后截止日期
订单
2010-06-30
2010-06-30
2010-06-30
去年出货量
2010-12-31
2010-12-31
2010-12-31
EPCOS AG 2009.复制，出版和传播本出版物，机箱及本协议的
禁止所载没有爱普科斯事先明确同意信息。
QQ：2580480828 复制
