一般信息的芯片
当安装功率半导体芯片，以一首标，陶瓷基片或混合厚膜电路，焊料系统和芯片
附着过程是对最终产品的可靠性和性能非常重要。这本小册子提供了一些指导原则
描述推荐的芯片附着亲cedures 。这些方法已被成功地使用了多年在艾赛斯。
可用的芯片包装形式
IXYS提供了不同的选项。
请从下列可能性之一订购：
封装选项
C-...*
T-...*
W-...*
供货形式
在盘芯片（华夫格包） ;
在晶圆芯片， unsawed ;
芯片在晶圆上贴膜，啥样;
电气测试
双极= 5" （ 125 mm ）晶片;电测试，废品都签署
双极= 5" （ 125 mm ）晶片;电测试，废品都签署
... *必须由具体的芯片型号标识进行修改。
包装，储存和处理
芯片应该在原来的容器中运输。所有的芯片转移到其他容器或组装只用做
橡胶尖真空铅笔。与人体皮肤接触（或与已经触碰手工工具）叶油状残留物可
产生不利影响后续的芯片附着或可靠性。
在温度低于104°F （40℃ ），有于保存时间为在原包装密封包装的芯片没有限制。从芯片去除
原包装应立即组装。接触的金属与焊料的润湿能力可以通过保留
存储在一个干净，干燥的氮气气氛。
在IGBT和MOSFET芯片的静电放电（ ESD ）很敏感。普通的防静电措施进行处理，必须遵守。
前向芯片连接，芯片的所有检测和处理必须按照DIN IEC 47 （CO） 701处的ESD安全工作站进行。
防静电离子风机，建议以加强静电保护。
芯片的污染降低了装配results.Finger版画，灰尘或油沉积在表面上的芯片必须是
绝对避免。
粗糙的机械处理可能会损坏芯片。
电气测试
在数据表中列出的电气性能设定正确组装芯片。试验
非组装
芯片要求
以下注意事项：
- 高电流必须被均匀地供给到整个金属化的接触面积。
- 开尔文探针必须被用来测试电压高电流
- 应用的完整指定的阻断或反向电压可能会造成隔着玻璃钝化结终端产生电弧，因为
在钝化玻璃的顶端的电场使周围的空气电离。这种现象，可避免使用
惰性流体或通过增加芯片对上述30 psig的（ 2巴）的值周围的气体的压力。
总则大会
相比于通常的接触金属硅的线性热膨胀系数是很小的。如果大面积金属硅
芯片直接焊接到铜等的金属，巨大的剪切应力是由温度变化引起的（例如，从在冷却时
在工作条件下的焊料的温度或加热），它可以破坏焊料mountdown 。
如果它发现较大的芯片中mountdown或应用程序中的裂解，然后用一个较低的热膨胀系数的
缓冲层，例如钨，钼或三金属
为消除应力应予以考虑。一种替代的解决方案是软焊料这些
更大的芯片到DCB ，因为它们的匹配的热膨胀系数的陶瓷基片。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
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