初步
CY3LV512/010
512K / 1兆CPLD引导EEPROM
特点
EE可重编程524,288 X 1和1,048,576 ×1位
串行存储器用来存储配置数据
复杂可编程逻辑器件（CPLD ）
在系统可编程，通过两线总线采用Cypress的
CYDH2200E编程工具包
简单的界面，以SRAM为基础的CPLD
与赛普拉斯Delta39K
& Quantum38K
CPLD器件
级联读回以支持更高密度的CPLD
低功耗CMOS EEPROM工艺
提供PLCC封装（引脚兼容跨
产品系列）
操作电压为3.3V V
CC
系统友好就绪引脚
低功耗待机模式
框图
CEO （ A2 ）
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-03002修订版**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年12月28日
初步
功能说明
该CY3LV512 / 010 （高密度CY3LV系列） CPLD启动
EEPROM具有一个易于使用的，具有成本效益的配置
记忆时的复杂可编程逻辑器件。该
CY3LV系列封装在流行的20引脚PLCC封装。这些
器件支持系统友好就绪引脚，这标志着
可以用一个“好”的功率电平到CPLD ，并确保
可靠的系统上电。
该CY3LV系列的引导PROM中可以与IN-编程
dustry标准的程序员或赛普拉斯的CYDH2200E
CPLD引导PROM编程工具。请参阅数据
表“ CYDH2200E CPLD引导PROM编程工具包”的
详细信息。
CY3LV512/010
控制CY3LV CPLD引导PROM中
在配置
CPLD器件和CY3LV之间最连接
引导PROM很简单，不言自明。
图1
节目
之间所需的五个信号接口
Delta39K / Quantum38K CPLD和CY3LV引导PROM
装置。
引导PROM的数据输出驱动器的数据输入
在CPLD
主CPLD CCLK输出驱动的CLK输入
引导PROM
CPLD的CCE引脚驱动引导PROM的CE输入
引导PROM的RESET / OE输入由驱动
CPLD RESET引脚
引导PROM的READY引脚连接到RE-
该CPLD的CONFIG引脚
就绪引脚可作为一个集电极开路指示器
该设备的复位状态;其驱动为低电平时器件
在它的上电复位周期和发布
（三态）时，循环结束。的上升沿
在READY （因此RECONFIG ）信号使CPLD来
开始配置。该CONFIG_DONE ， CCE和RESET输出
投放CPLD的被设置为低， CCLK被激活和CPLD
开始接收的DATA引脚配置数据。毕竟
配置数据移入， CPLD器件deacti-
vates的CCLK ，并设置CCE ， RESET和CONFIG_DONE
高。
在CPLD复位 - 上的RESET / OE输入高水平
- 清除引导PROM的内部地址指针和子
序贯重构开始于开始。
任何CY3LV的CEO输出驱动器旁边的CE输入
CY3LV EEPROM中的级联链。
SER_EN必须连接到V
CC
， （除了在系统中
编程） 。
3.3V
CPLD主串行模式总结
在CPLD和其相关的I / O和逻辑功能
互连由加载配置数据建立
（比特流）到CPLD 。此配置数据被加载
或者在上电时自动地，或者一旦发布JTAG-
命令。配置数据被存储在内部
快闪记忆体（自启动程序包只） ，或在外部
CPLD引导PROM存储器。这个数据被从AP-装
propriate存储器取决于CPLD的模式的状态
选择引脚（ MSEL ） 。
在主串行模式时（ MSEL = 1 ）时， CPLD automati-
美云从外部memo-加载配置程序
RY即CY3LV CPLD引导PROM 。这些PROM中已
设计用于与主串行模式的兼容性。这
文件讨论了Cypress的SRAM之间的接口
基于CPLD的（ Quantum38K和Delta39K ）和CY3LV
PROM中。
有关这些结构的其它方式的更多细节
CPLD器件请参考应用笔记标题为“配置
Delta39K/Quantum38K.”
V
CC
V
CCIO
V
CCJTAG
V
CCIO
V
CCPLL
V
CCCNFG
V
CC
V
CCPRG
4.7K
1K
数据
RESET
DELTA39K/
CCE
QUANTUM38K
CCLK
TCLK
TMS
TDI
TDO
MSEL
侦察科幻克
CONFIG_DONE
GND
1F
SER_EN
V
CC
数据
RESET / OE
CE
CLK
GND
准备
CY3LV512/010
0.1F
图1. Delta39K / Quantum38K CPLD和CY3LV引导PROM之间的接口
文件编号： 38-03002修订版**
10引脚ISR
标题
第2 9
初步
注意：
目前， Delta39K100 3的修订和2的修改
Quantum38K100设备可用的标记为
CY39100Vxxx ， CY39100VxxxA和CY39100VxxxB ，
CY38100Vxxx和CY38100VxxxB 。
图1
建立表象
货物内CY39100VxxxB / CY38100VxxxB之间的界面
和CY3LV设备。为了得到其他的接口细节
版本和CY3LV请参考应用笔记标题
“配置Delta39K / Quantum38K 。 ”
设置在
图1
也代表所有的接口
在Delta39K / Quantum38K家庭和CY3LV其他设备
引导PROM中。
CY3LV512/010
CY3LV系列RESET极性
该CY3LV系列的CPLD引导PROM的允许用户亲
克复位极性或者RESET / OE或
RESET / OE.Cypress的基于SRAM的CPLD （ Delta39K和
Quantum38K ）要求RESET引脚进行编程AC-
略去-高，即作为RESET / OE 。 CY3LV引导PROM的是
从出厂时编程的重置极性
高电平有效。该极性可以通过行业标进行验证
准程序员或赛普拉斯的CYDH2200E引导PROM亲
编程工具包。
注意：每次启动PROM重新编程，护理
应注意选择复位极性为“高”亲
语法软件。
层叠CY3LV CPLD引导PROM中
对于未来的CPLD器件需要更大的内存配置，
级联CPLD引导PROM中提供了额外的内存。
从第一次启动PROM的最后一位被读取时，时钟信号
要引导PROM声称其CEO输出低电平，并禁用
它的数据线驱动器。第二个引导PROM识别
低水平上的CE输入和启用其数据输出。
配置完成后，所有的地址计数器后
级联引导PROM的复位，如果在每一个RESET / OE
引导PROM驱动为有效（高）级。
编程模式
在编程模式中，通过使SER_EN低电平输入。
在这种模式下，芯片可通过两线进行编程SE-
里亚尔总线。编程完成在V
CC
（ 3.3V标称值）的支持
只有来往。该CY3LV部分是读/写在3.3V标称。
待机模式
该CY3LV进入低功耗待机模式，只要CE
被置为高电平。在这种模式下，引导PROM消耗较少
超过0.5毫安电流与3.3V CMOS电平输入。该
输出保持在高阻抗状态，而不管
在OE输入的状态。
文件编号： 38-03002修订版**
第3 9
初步
.
表1.引脚配置
20-pin
PLCC
2
4
5
名字
数据
CLK
WP1
I / O
I / O
I
I
CY3LV512/010
6
复位/
OE
I
7
WP2
I
8
CE
I
10
14
GND
首席执行官
O
A2
15
17
20
准备
SER_EN
VCC
I
O
I
描述
三态数据输出的配置。
集电极开路双向引脚
编程。
时钟输入。
用于增加内部地址和位计数器用于读取和编程
明。
写保护（ 1 ） 。
使用的编程过程中保护的内存部分。残
默认情况下，由于内部下拉电阻。这种输入管脚中的CPLD装载不使用
操作。
RESET /输出使能输入（当SER_EN高） 。
在两个CE-A低电平和
RESET / OE输入使得数据输出驱动器。高层次上的RESET / OE复位两种
地址和位计数器。该输入的逻辑极性是可编程的，因为无论是RESET / OE
或者RESET / OE 。 Delta39K / Quantum38K CPLD器件需要将此引脚编程为
RESET / OE因此本文档介绍了引脚RESET / OE 。
写保护（ 2 ） 。
使用的编程过程中保护的内存部分。残
默认情况下，由于内部下拉电阻。这种输入管脚中的CPLD装载不使用
操作。
芯片使能输入。
用于设备的选择。无论CE和OE的低水平使
数据输出驱动器。在CE高水平禁用的地址和位计数器和势力
该器件进入低功耗待机模式。请注意，此引脚将不会启用/禁用设备
在两线串行编程模式（即，当SER_EN是低的） 。
接地引脚。
A 0.1
F
V的去耦电容
CC
和GND推荐
芯片使能输出。
该信号为低电平的时钟周期的最后一位读
从存储器。它会保持在低水平，只要CE和OE都很低。然后，它会按照CE
直到OE变为高电平。此后， CEO将保持较高水平，直到整个EEPROM被再次读取。
设备的选择输入， A2 。
这是用于使能（或选择），在编程期间，该装置
（即，当SER_EN是低的） 。
集电极开路复位状态指示灯。
在上电期间复位拉低，释放时
电完成。 （如果使用推荐该引脚上的4.7 kΩ的上拉） 。
串行能必须保持在高CPLD装载作业。把SER_EN低
使两线串行编程模式。
+ 3.3V电源引脚。
销刀豆网络gurations
NC
数据
NC
VCC
NC
3
2
1
20
19
NC
GND
NC
NC
NC
文件编号： 38-03002修订版**
9
10
11
12
13
CLK
WP1
RESET / OE
WP2
CE
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
NC
SER_EN
NC
准备
CEO （ A2 ）
第4页第9
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
工作温度............................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
CY3LV512/010
任何引脚电压
相对于地面......................... -0.1V到V
CC
+ 0.5V
电源电压（V
CC
） ......................................- 0.5V至+ 7.0V
最大焊接温度。 （10秒@ 1 / 16英寸） ........... 260℃
ESD （R
ZAP
= 1.5K ，C
ZAP
= 100 pF的） ............................ 2000V
工作范围
[1]
范围
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产业
军事
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
结温
0 ° C至+ 90°C
-40 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 130°C
CY3LV512 / 010 （V
CC
)
3.3V
±
0.3V
3.3V
±
0.3V
3.3V
±
0.3V
3.3V器件电气特性在工作范围
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
CCA
I
L
I
CCS
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压（I
OH
= -2.5毫安）
低电平输出电压（I
OL
= 3毫安）
高电平输出电压（I
OH
= -2毫安）
低电平输出电压（I
OL
= 3毫安）
高电平输出电压（I
OH
= -2毫安）
低电平输出电压（I
OL
= 2.5毫安）
电源电流，工作模式下
输入或输出漏电流（V
IN
= V
CC
或GND ）
电源电流，待机模式
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工业/军事
–10
军事
2.4
0.4
5
10
100
100
产业
2.4
0.4
广告
描述
敏
2.0
0
2.4
0.4
最大，
V
CC
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
A
A
A
文件编号： 38-03002修订版**
第5 9
