1CY 7C12 8A
CY7C128A
2K ×8静态RAM
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 15纳秒
低有功功率
- 440毫瓦（商业）
- 550毫瓦（军事）
低待机功耗
= 110毫瓦
TTL兼容的输入和输出
能够承受大于2001V的电 -
静电放电
V
IH
2.2V的
功能说明
该CY7C128A是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为2048字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE）和低电平有效提供
输出使能（ OE ）和三态驱动器。该CY7C128A
具有自动断电功能，降低功耗
当取消了83 ％的消费。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。
在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
10
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而写使能（ WE）的遗体
HIGH 。存储器位置的在这些条件下，将内容
上的地址引脚指定将出现在8个I / O引脚。
在I / O引脚保持高阻状态时，芯片使能
（CE）或输出使能（OE ）为高或写使能（WE ）是低电压。
该CY7C128A利用模涂，以保证阿尔法免疫力。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ
顶视图
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
24
23
2
22
3
4
21
5
20
6
19
7C128A
18
7
17
8
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
C128A–2
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
I / O
2
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
CE
WE
OE
A
3
A
2
A
1
A
0
128 x 16 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
LCC
顶视图
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
C128A–1
3 2 1 24 23
4
22
5
21
6
20
7 7C128A 19
8
18
9
17
16
10
11 12 13 14 15
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
C128A–3
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
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军事
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军事
7C128A–15
15
120
40/40
7C128A–20
20
100
125
40/20
40/20
7C128A–25
25
100
125
20
40
7C128A–35
35
100
100
20
20
7C128A–45
45
100
20
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1988年12月 - 修订1992年12月
CY7C128A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C128A - 15 7C128A - 20 7C128A - 25 7C128A - 35,45
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[3]
输入负载
当前
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
自动CE
掉电
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
,
CE > V
IH ，
分钟。占空比
= 100%
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
–0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
40
40
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH =
-4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
120
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
100
125
40
40
20
20
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
100
125
20
40
20
20
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
100
100
20
20
20
20
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB2
电容
[
5
]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
4.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2
CY7C128A
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
≤
5纳秒
≤
5纳秒
(a)
(b)
C128A–4
C128A–5
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
在整个工作范围
[2,6]
7C128A–15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[7,8]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[7]
WE高到低Z
5
15
12
12
0
0
12
10
0
7
5
0
15
20
15
15
0
0
15
10
0
7
5
5
8
0
20
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
3
8
5
8
0
20
25
25
25
0
0
20
15
0
10
5
5
15
10
3
8
5
10
0
20
40
30
30
0
0
20
15
0
15
15
15
5
20
10
3
10
5
15
0
25
20
20
5
25
12
3
12
5
15
25
25
5
35
15
3
15
35
35
5
45
20
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C128A–20
分钟。
马克斯。
7C128A–25
分钟。
马克斯。
7C128A–35
分钟。
马克斯。
7C128A–45
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
3
CY7C128A
开关波形
读周期1号
[10,11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C128A–6
读周期2号
[10,12]
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
ICC
50%
ISB
C128A–7
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[9,13]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
数据中，未定义
C128A–8
t
AW
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
高阻抗
注意事项：
10.我们是高读周期。
11.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
13.数据I / O引脚进入高阻抗状态，如图所示，当OE为写操作期间保持低电平。
4
CY7C128A
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9,13,14]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
高阻抗
数据中，未定义
C128A–9
t
SCE
t
HA
t
HD
注意事项：
14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
典型的DC和AC特性
归一化电源电流
- 电源电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.6
0.4
0.2
0.0
4.0
4.5
5.0
I
SB
5.5
6.0
0.4
0.2
0.0
–55
I
SB
25
125
V
CC
=5.0V
V
IN
=5.0V
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
I
CC
0.8
1.2
1.0
I
CC
归一化电源电流
- 环境温度
120
100
80
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C)
输出源电流
与输出电压
电源电压（ V）
归一化存取时间
- 电源电压
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
T
A
=25°C
1.0
0.9
0.8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.8
0.6
–55
1.0
1.6
1.4
环境温度（ ° C）
归一化存取时间
- 环境温度
140
120
100
80
60
V
CC
=5.0V
40
20
25
125
0
0.0
输出电压（V）的
输出灌电流
与输出电压
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C
1.0
2.0
3.0
4.0
电源电压（ V）
环境温度（ ° C）
输出电压（V）的
5
28A
CY7C128A
2K ×8静态RAM
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 15纳秒
低有功功率
- 660毫瓦（商业）
- 688毫瓦（军用20纳秒）
低待机功耗
- 110毫瓦（ 20纳秒）
TTL兼容的输入和输出
能够承受大于2001V的电 -
静电放电
V
IH
2.2V的
由低电平有效芯片使能（ CE）和低电平有效提供
输出使能（ OE ）和三态驱动器。该CY7C128A
具有自动断电功能，降低功耗
当取消了83 ％的消费。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。
在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
10
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而写使能（ WE）
仍然很高。的在这些条件下，将内容
上的地址引脚指定的存储器位置上会出现
在8个I / O引脚。
在I / O引脚保持高阻状态时，芯片恩
能（ CE）和输出使能（ OE ）为高电平或写使能（ WE）
是低的。
该CY7C128A利用模涂，以保证阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C128A是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为2048字。简单的内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
24
23
2
22
3
4
21
5
20
6
19
7C128A
18
7
17
8
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
C128A–2
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
行解码器
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
CE
WE
OE
I / O
2
检测放大器
128 x 16 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
LCC
顶视图
A5
A6
A7
VCC
A8
3 2 1 24 23
4
22
5
21
6
20
7 7C128A 19
8
18
9
17
10
16
11 12 13 14 15
I / O 2
GND
I / O 3
I / O 4
I / O 5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
C128A–3
A
3
A
2
A
1
A
0
C128A–1
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作
广告
电流（mA ）
军事
最长待机
广告
电流（mA ）
军事
7C128A-15
15
120
-
40
-
7C128A-20
20
120
125
20
20
7C128A-25
25
120
125
20
20
7C128A-35
35
120
125
20
20
7C128A-45
45
120
125
20
20
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05028牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C128A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C128A-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[3]
输入负载
当前
输出漏
当前
输出短路
CircuitCurrent
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
自动CE
掉电
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
,
CE > V
IH ，
分钟。占空比
= 100%
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
–0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH =
-4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
120
-
40
-
40
-
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
7C128A-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
120
125
40
40
20
20
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
7C128A-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
120
125
20
40
20
20
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
7C128A-35,45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
120
125
20
20
20
20
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
4.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05028牧师**
第10 2
CY7C128A
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
≤
5纳秒
≤
5纳秒
(a)
(b)
C128A–4
C128A–5
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
在整个工作范围
[2, 6]
7C128A-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
[9]
7C128A-20
分钟。
20
马克斯。
7C128A-25
分钟。
25
马克斯。
7C128A-35
分钟。
35
马克斯。
7C128A-45
分钟。
45
马克斯。
单位
ns
45
5
45
20
3
15
5
15
0
25
40
30
30
0
0
20
15
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
5
ns
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
5
15
10
3
8
5
8
0
15
15
12
12
0
0
12
10
0
7
5
5
20
15
15
0
0
15
10
0
0
5
3
5
20
5
20
10
3
8
5
8
0
20
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
25
5
25
12
3
10
5
10
0
20
25
25
25
0
0
20
15
0
7
5
35
35
15
12
15
20
写周期
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[7]
WE高到低Z
10
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05028牧师**
第10 3
CY7C128A
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C128A–6
读周期2号
[10, 12]
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
I
CC
50%
I
SB
C128A–7
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[9, ]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
数据中，未定义
C128A–8
t
AW
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
高阻抗
注意事项：
10.我们是高读周期。
11.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
13.数据I / O引脚进入高阻抗状态，如图所示，当OE为写操作期间保持低电平。
文件编号： 38-05028牧师**
第10 4
CY7C128A
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9, 13, 14]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
高阻抗
数据中，未定义
C128A–9
t
SCE
t
HA
t
HD
注意事项：
14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
典型的DC和AC特性
输出源电流（mA）
归一化电源电流
- 电源电压
1.4
归一化我
CC
, I
SB
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
4.0
4.5
5.0
I
SB
5.5
6.0
I
CC
归一化我
CC
, I
SB
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–55
I
SB
25
125
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 5.0V
I
CC
归一化电源电流
- 环境温度
输出源电流
与输出电压
120
100
80
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CC
=5.0V
T
A
= 2 5
°
C)
电源电压（ V）
归一化存取时间
- 电源电压
1.4
归一吨
AA
归一吨
AA
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T
A
= 25
°
C
1.6
1.4
1.2
1.0
环境温度（
°
C)
归一化存取时间
- 环境温度
输出电压（V）的
输出灌电流
与输出电压
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CC
=5.0V
T
A
= 25
°
C
V
CC
= 5.0V
0.8
0.6
–55
25
125
电源电压（ V）
环境温度（
°
C)
输出灌电流（mA）
输出电压（V）的
文件编号： 38-05028牧师**
第10个5
1CY 7C12 8A
CY7C128A
2K ×8静态RAM
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 15纳秒
低有功功率
- 440毫瓦（商业）
- 550毫瓦（军事）
低待机功耗
= 110毫瓦
TTL兼容的输入和输出
能够承受大于2001V的电 -
静电放电
V
IH
2.2V的
功能说明
该CY7C128A是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为2048字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE）和低电平有效提供
输出使能（ OE ）和三态驱动器。该CY7C128A
具有自动断电功能，降低功耗
当取消了83 ％的消费。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。
在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
10
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而写使能（ WE）的遗体
HIGH 。存储器位置的在这些条件下，将内容
上的地址引脚指定将出现在8个I / O引脚。
在I / O引脚保持高阻状态时，芯片使能
（CE）或输出使能（OE ）为高或写使能（WE ）是低电压。
该CY7C128A利用模涂，以保证阿尔法免疫力。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ
顶视图
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
24
23
2
22
3
4
21
5
20
6
19
7C128A
18
7
17
8
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
C128A–2
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
I / O
2
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
CE
WE
OE
A
3
A
2
A
1
A
0
128 x 16 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
LCC
顶视图
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
C128A–1
3 2 1 24 23
4
22
5
21
6
20
7 7C128A 19
8
18
9
17
16
10
11 12 13 14 15
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
C128A–3
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
广告
军事
广告
军事
7C128A–15
15
120
40/40
7C128A–20
20
100
125
40/20
40/20
7C128A–25
25
100
125
20
40
7C128A–35
35
100
100
20
20
7C128A–45
45
100
20
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1988年12月 - 修订1992年12月
CY7C128A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C128A - 15 7C128A - 20 7C128A - 25 7C128A - 35,45
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[3]
输入负载
当前
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
自动CE
掉电
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
,
CE > V
IH ，
分钟。占空比
= 100%
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
–0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
40
40
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH =
-4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
120
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
100
125
40
40
20
20
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
100
125
20
40
20
20
2.2
–0.5
–10
–10
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
–300
100
100
20
20
20
20
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB2
电容
[
5
]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
4.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2
CY7C128A
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
≤
5纳秒
≤
5纳秒
(a)
(b)
C128A–4
C128A–5
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
在整个工作范围
[2,6]
7C128A–15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[7,8]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[7]
WE高到低Z
5
15
12
12
0
0
12
10
0
7
5
0
15
20
15
15
0
0
15
10
0
7
5
5
8
0
20
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
3
8
5
8
0
20
25
25
25
0
0
20
15
0
10
5
5
15
10
3
8
5
10
0
20
40
30
30
0
0
20
15
0
15
15
15
5
20
10
3
10
5
15
0
25
20
20
5
25
12
3
12
5
15
25
25
5
35
15
3
15
35
35
5
45
20
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C128A–20
分钟。
马克斯。
7C128A–25
分钟。
马克斯。
7C128A–35
分钟。
马克斯。
7C128A–45
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
3
CY7C128A
开关波形
读周期1号
[10,11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C128A–6
读周期2号
[10,12]
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
ICC
50%
ISB
C128A–7
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[9,13]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
数据中，未定义
C128A–8
t
AW
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
高阻抗
注意事项：
10.我们是高读周期。
11.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
13.数据I / O引脚进入高阻抗状态，如图所示，当OE为写操作期间保持低电平。
4
CY7C128A
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9,13,14]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
高阻抗
数据中，未定义
C128A–9
t
SCE
t
HA
t
HD
注意事项：
14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
典型的DC和AC特性
归一化电源电流
- 电源电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.6
0.4
0.2
0.0
4.0
4.5
5.0
I
SB
5.5
6.0
0.4
0.2
0.0
–55
I
SB
25
125
V
CC
=5.0V
V
IN
=5.0V
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
I
CC
0.8
1.2
1.0
I
CC
归一化电源电流
- 环境温度
120
100
80
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C)
输出源电流
与输出电压
电源电压（ V）
归一化存取时间
- 电源电压
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
T
A
=25°C
1.0
0.9
0.8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.8
0.6
–55
1.0
1.6
1.4
环境温度（ ° C）
归一化存取时间
- 环境温度
140
120
100
80
60
V
CC
=5.0V
40
20
25
125
0
0.0
输出电压（V）的
输出灌电流
与输出电压
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C
1.0
2.0
3.0
4.0
电源电压（ V）
环境温度（ ° C）
输出电压（V）的
5
