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表面贴装零偏压
肖特基二极管检测器
技术参数
HSMS- 2850系列
特点
表面贴装SOT -23 /
SOT- 143封装
微型SOT- 323和
SOT- 363封装
检测灵敏度高:
高达50毫伏/ μW在915MHz
低闪烁噪声:
-162的dBV /赫兹,100赫兹
低FIT (在失败时)
率*
磁带和卷轴选项
可用的
匹配的二极管
稳定的性能
更好的热
电导率较高
功耗
*欲了解更多信息,请参阅面
装载肖特基可靠性数据表。
SOT -23 / SOT -143封装
前导码识别
( TOP VIEW )
单身
3
系列
3
描述
安捷伦HSMS- 285x家族
零偏置肖特基探测器
二极管已被设计和
在小信号进行了优化
(P
in
< -20 dBm的)的应用
频率1.5GHz以下。他们
非常适合RF / ID和射频标签
应用主( DC
偏压)的功率是不具备的。
重要注意事项:
对于探测器
与输入功率的应用
水平大于-20 dBm时,使用
在HSMS- 282X系列在frequen-
低于4.0千兆赫,而CIES
HSMS- 286x系列频率
上述4.0 GHz的。该HSMS- 285x
一系列不推荐
这些较高的功率电平
应用程序。
提供各种包
配置,这些探测器
二极管提供低成本的解决方案
到各种各样的设计的概率
题。安捷伦制造
技术保证,当两个
二极管被安装到一个单一的
包,它们是取自
邻近的位置在晶片上,
确保尽可能高的
匹配度。
1
#0
2
1
#2
2
悬空
3
4
1
#5
2
SOT- 323封装引脚
码识别
( TOP VIEW )
单身
3
系列
3
引脚连接和
包装标志
1
2
3
6
5
4
1
B
2
1
C
2
SOT- 363封装引脚
码识别
( TOP VIEW )
悬空
TRIO
6
5
4
6
注意事项:
1.包装标识规定orienta-
化和识别。
2.请参见“电气规范”
适当的包装标识。
PLX
5
4
1
2
L
3
1
2
P
3
2
SOT -23 / SOT -143直流电气规格,T
C
= +25
°
C,单二极管
部分
HSMS-
2850
2852
2855
TEST
条件
注意事项:
1.包装标记代码是白色的。
2.
V
F
对于二极管对是15.0 mV(最大值)为1.0毫安。
3.
C
T
对于二极管对为0.05 pF的最大值-0.5 V.
记号
CODE
[1]
P0
P2
P5
领导
CODE
0
2
5
CON组fi guration
单身
对系列
[2,3]
PAIR无关
[2,3]
最大
正向电压
V
F
(毫伏)
150
250
典型
电容
C
T
(PF )
0.30
I
F
= 0.1毫安我
F
= 1.0毫安V
R
= -0.5V至-1.0V
F = 1 MHz的
SOT - 323 / SOT- 363直流电气规格,T
C
= +25
°
C,单二极管
部分
HSMS-
285B
285C
285L
285P
TEST
条件
注意事项:
1.包装标识代码激光标记。
2.
V
F
对于二极管对是15.0 mV(最大值)为1.0毫安。
3.
C
T
对于二极管对为0.05 pF的最大值-0.5 V.
记号
CODE
[1]
P0
P2
PL
PP
领导
CODE
B
C
L
P
CON组fi guration
单身
[2]
对系列
[2,3]
悬空三重奏
四桥
最大
正向电压
V
F
(毫伏)
150
250
典型
电容
C
T
(PF )
0.30
I
F
= 0.1毫安我
F
= 1.0毫安
V
R
= 0.5 V至-1.0V
F = 1 MHz的
RF电气规格,T
C
= +25
°
C,单二极管
产品型号
HSMS-
2850
2852
2855
285B
285C
285L
285P
TEST
条件
典型切向灵敏度
TSS ( DBM) @ F = 915兆赫
– 57
典型电压灵敏度
典型的视频
γ
(MV /
W) @ F = 915 MHz的电阻RV (K
)
40
8.0
视频带宽= 2 MHz的
零偏压
功率= -40 dBm的
R
L
= 100kΩ的,零偏置
零偏压
3
绝对最大额定值,T
C
= +25
°
C,单二极管
符号
P
IV
T
J
T
英镑
T
OP
θ
jc
参数
峰值反向电压
结温
储存温度
工作温度
热阻
[2]
单位
V
°C
°C
°C
° C / W
绝对最大
[1]
SOT - 143分之23 SOT -三百六十三分之三百二十三
2.0
150
-65到150
-65到150
500
2.0
150
-65到150
-65到150
150
ESD警告:
操作注意事项
应注意避免
静电放电。
注意事项:
1.操作中过量的这些条件下,可能会导致在任一
永久损坏设备。
2. T
C
= + 25 ° C,其中T
C
被定义为在包中的温度
销在哪里接触形成于电路板。
线性等效电路模型
HSMS- 285x芯片
R
j
R
S
SPICE参数
参数
B
V
C
J0
E
G
I
BV
I
S
单位
V
pF
eV
A
A
V
HSMS-285x
3.8
0.18
0.69
3 E -4
3 E-6
1.06
25
0.35
2
0.5
C
j
N
R
S
P
B
(V
J
)
P
T
( XTI )
M
R
S
=串联电阻(见表的SPICE参数)
C
j
=结电容(见表的SPICE参数)
8.33 X 10
-5
nT
R
j
=
I
b
+ I
s
哪里
I
b
=外部施加的偏置电流以安培
I
s
=饱和电流(见表格的SPICE参数)
T =温度,
°K
N =理想因子(见表的SPICE参数)
注意:
有效地模拟包装HSMS- 285x产品
请参考应用笔记AN1124 。
4
典型参数,单二极管
100
I
F
- 正向电流(mA )
10000
R
L
= 100 K
1000
电压输出(MV )
电压输出(MV )
30
R
L
= 100 K
915兆赫
100
10
915兆赫
10
1
10
0.1
1
二极管测试了固定调谐
FR4微带电路。
1
二极管测试了固定调谐
FR4微带电路。
0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
V
F
- 正向电压( V)
0.1
-50
-40
-30
-20
-10
0
0.3
-50
-40
POWER IN ( DBM)
-30
POWER IN ( DBM)
图1.典型正向电流
VS.正向电压。
图2. + 25°C输出电压 -
在零偏压输入功率。
图3. + 25°C扩展输出
电压与输入功率。参见图2 。
3.1
2.9
输出电压(毫伏)
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
FR4微带电路。
0.9
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
温度(℃)
执行测量使用
频率 - 2.45 GHz的
P
IN
= -40 dBm的
R
L
= 100 K
图4.输出电压 -
温度。
5
应用信息
介绍
安捷伦HSMS- 285x家族
肖特基二极管检测器已经
专为低开发
成本,小批量设计
信号(P
in
< -20 dBm的)应用程序
系统蒸发散在频率低于
1.5 GHz的。在更高的频率,
直流偏置HSMS- 286x系列
应予以考虑。
在大信号功率或GAIN(增益)
控制应用程序(P
in
> -20 dBm的) ,
在HSMS- 282X和HSMS- 286x
产品应该被使用。该
HSMS- 285x零偏压二极管不
专为大信号设计。
肖特基二极管
特征
剥夺其封装,
肖特基势垒二极管芯片
由金属 - 半导体的
通过沉积屏障形成
金属层上的半导体。
最常见的几
不同的类型,所述钝化
二极管中,示出在图5中,沿
其等效电路。
tance二极管,通过控制
外延层的厚度
和肖特基的直径
接触。
j
是结
二极管的电阻,一个函数
总电流的流动
通过它。
8.33 X 10
-5
NT·
R
j
= –––––––––––– = R
V
– R
s
I
S
+ I
b
0.026
= - - - - 在25℃下
I
S
+ I
b
哪里
N =理想因子(见表格
SPICE参数)
T =温度
°K
I
S
=饱和电流(见
表的SPICE参数)
I
b
=外加偏置
目前在安培
I
S
是二极管屏障的功能
高度,并且范围可以从
皮安高势垒二极管
到高达5
A
对于非常低的
垒二极管。
肖特基的高度
屏障
的电流 - 电压特性
肖特基势垒二极管在
室温下被描述
下面的等式:
V - IR
S
I = I
S
(实验------ - 1)
0.026
目前,我
S
和涉及的
二极管的势垒高度。
通过p型的选择或
n型硅,且所述的选择
金属,可以定制字符
肖特基二极管的开创性意义。
势垒高度将被改变,而
在同一时间C
J
和R
S
改变了。在一般情况下,非常低
势垒高度二极管(具有高
的I值
S
适于零偏压
应用程序)实现对
p型硅。这种二极管吃亏
从研发的高值
S
在n型。因此, p型二极管是
通常被保留用于小信号
探测器的应用(其中很
的R值高
V
沼泽出高
R
S
)及n型二极管,用于
混频器的应用(其中高
L.O.驱动电平保持
V
低) 。
测量二极管的参数
五个测量
元素从而弥补低
频率的等效电路的
封装肖特基二极管(见
图6)是一个复杂的任务。
各种技术可用于
每个元素。任务开始
与上述二极管的元件
芯片本身。
C
P
n型或p型硅衬底



金属
钝化
N型或P型外延
R
S
钝化
肖特基结
C
j
R
j
(
)
L
P
当量
电路
R
V
R
S
C
j
横截面肖特基
势垒二极管芯片
图5.肖特基二极管芯片。
R
S
是寄生串联
二极管的电阻,总和
的键合线和引线框
性,的电阻
体层的硅等射频
能量耦合成R
S
丢失的
热 - 它不向
整流输出二极管。
C
J
是寄生结电容
在半对数图(如图
安捷伦目录)的电流
图形将是一条直线
逆坡2.3× 0.026 = 0.060
每循环伏(直到效果
R
S
被认为是在一条曲线,它下垂
在高电流) 。所有的肖特基
二极管曲线有相同的斜率,
但不一定是相同的值
的电流给定电压。这
由饱和确定
为HSMS- 285x系列
C
P
= 0.08 pF的
L
P
= 2 NH
C
j
= 0.18 pF的
R
S
= 25
R
V
= 9 K
图6的等效电路
肖特基二极管。
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