订购数量： EN3279
FC125
PNP外延平面硅晶体管复合
切换应用程序
与偏置电阻）
特点
·内置偏置电阻（ R1 = 47千欧姆） 。
包含在用2个晶体管·复合型
目前使用的CP包，提高到安装
荷兰国际集团的效率大大。
·该FC125形成有两个芯片，是等价
借给2SA1508 ，放置在一个包中。
·卓越的热平衡和对能力。
电气连接
C1 ：收集1
C2 ：收藏家2
B2 ：基2
EC：发射极常见
B1 ：基地1
三洋： CP5
包装尺寸
单位：mm
2066
[FC125]
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
我CP
PC
PT
Tj
TSTG
1个单位
条件
评级
–50
–50
–5
–100
–200
200
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
mW
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
-E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
输入断态电压
输入通态电压
输入阻抗
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCB = -40V ， IE = 0
VEB = -5V ， IC = 0
VCE = -5V ， IC = -10mA
VCE = -10V ， IC = -5mA
VCB = -10V ， F = 1MHz的
–50
–50
–0.4
–0.8
33
–0.55
–2.0
47
–0.8
–4.0
61
100
200
5.1
–0.1
–0.3
兆赫
pF
V
V
V
V
V
k
CONDITONS
评级
民
典型值
最大
–0.1
–0.1
单位
A
A
VCE （ sat）的IC = -5mA ， IB = -0.25mA
V（ BR ） CBO IC = -10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = -100μA ， RBE = ∞
六（关闭）
第六章（上）
R1
VCE = -5V ， IC = -100μA
VCE = -0.2V ， IC = -5mA
注意：上面显示的规格为每个单独的晶体管。
标记： 125
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52098HA （ KT ） / 2160MO ， TS No.3279-1 / 2
FC125
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