FDB024N06 N沟道MOSFET的PowerTrench
2008年7月
FDB024N06
60V ， 265A ，值为2.4MΩ
特点
N沟道PowerTrench MOSFET的
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体已被先进的PowerTrench工艺
特别是针对减少通态电阻，但
保持出色的开关性能。
tm
R
DS （ ON）
= 1.8MΩ （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
开关速度快
低栅极电荷
高性能沟道技术极低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
符合RoHS
应用
直流到直流转换器/同步整流
D
D
G
G
S
D
2
-PAK
FDB系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏电流
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（T
C
= 25
o
C，硅有限公司）
- 连续（T
C
= 100
o
C，硅有限公司）
- 连续（T
C
= 25
o
C，包装有限公司）
- 脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
评级
60
±20
265*
190*
120
1060
2531
3.5
395
2.6
-55到+175
300
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*
基于最大允许结温计算的连续电流。套餐限制电流为120A 。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
评级
0.38
62.5
单位
o
C / W
2008飞兆半导体公司
FDB024N06牧师A3
1
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FDB024N06 N沟道MOSFET的PowerTrench
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FDB024N06
设备
FDB024N06
包
D2-PAK
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
C
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150 C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
o
60
-
-
-
-
-
0.04
-
-
-
-
-
1
500
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
DS
= 10V ，我
D
= 75A
（注4 ）
2.5
-
-
3.5
1.8
200
4.5
2.4
-
V
m
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 48V ，我
D
= 75A
V
GS
= 10V
（注4,5）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
11190
1610
750
174
54
50
14885
2140
1125
226
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 30V ，我
D
= 75A
V
GS
= 10V ，R
根
= 25
（注4,5）
-
-
-
-
134
324
348
250
278
658
706
510
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 75A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 75A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
69
152
265
1060
1.3
-
-
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1 ：重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2： L = 0.9mH ，我
AS
= 75A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3: I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4 ：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5 ：基本上是独立的工作温度典型特征
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典型性能特性
图1.区域特征
700
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
图2.传输特性
1000
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
s脉冲测试
I
D
，漏电流[ A]
100
I
D
，漏电流[ A]
100
175 C
25 C
o
o
10
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
10
-55 C
o
1
0.01
0.1
V
DS
，漏源电压[V]
1
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅源电压[V]
7
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
3.0
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
500
I
S
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
[
m
]
,
漏源导通电阻
175 C
o
2.5
V
GS
= 10V
100
2.0
V
GS
= 20V
25 C
o
10
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
1.5
*注：t
C
= 25 C
o
1.0
0
100
200
300
I
D
，漏电流[ A]
400
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.4
图5.电容特性
16000
C
国际空间站
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 15V
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
8
12000
电容[ pF的]
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
6
C
OSS
8000
4
4000
C
RSS
2
*注：我
D
= 75A
0
0.1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
60
0
40
80
120
160
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
200
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.15
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.0
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
1.10
1.6
1.05
1.2
1.00
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 10毫安
0.8
0.95
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 75A
0.90
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
0.4
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
300
1000
10
s
250
I
D
，漏电流[ A]
200
150
100
50
0
25
I
D
，漏电流[ A]
100
100
s
1ms
10ms
DC
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
*注意：
不限按包
1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
100
50
75
100
125
150
o
T
C
，外壳温度[C]
175
图11.瞬态热响应曲线
1
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
o
*注意：
0.01
10
-4
-3
-2
1. Z
θ
JC
（ T） = 0.38 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.005
-5
10
10
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-1
1
10
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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