【FDMA530PZ单P沟道PowerTrenchMOSFET2008年4月FDMA530PZ单P沟道】,IC型号FDMA530PZ,FDMA530PZ PDF资料,FDMA530PZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

2008年4月

FDMA530PZ

单P沟道

-30V ， -6.8A ， 35mΩ

特点

的PowerTrench

MOSFET

概述

tm

最大

DS （ ON）

= 35mΩ在V

GS

= -10V ，我

D

= –6.8A

最大

DS （ ON）

= 65mΩ在V

GS

= -4.5V ，我

D

= –5.0A

低调 - 0.8毫米最大 - 在新的封装的MicroFET

2×2毫米

HBM ESD保护等级> 3K V典型（注3 ）

符合RoHS

该器件用于电池充电和负载而设计

蜂窝切换

手机等

超轻薄

应用程序。它具有低导通电阻的MOSFET 。

这些新产品的2x2封装提供卓越的热

对于它的物理尺寸和性能是非常适合于线性模式

应用程序。

销1

D

G

底部漏接触

漏

来源

D

G

1

6

D

S

2

5

3

4

D

S

的MicroFET 2X2 （底视图）

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

-Continuous

-Pulsed

功耗

工作和存储结温范围

（注1A ）

（注1B ）

（注1A ）

参数

评级

–30

±25

–6.8

–24

2.4

0.9

-55到+150

单位

V

A

W

°C

热特性

R

θJA

R

θJA

热阻，结到环境

（注1A ）

（注1B ）

52

145

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

530

设备

FDMA530PZ

包

2×2的MicroFET

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

2008飞兆半导体公司

FDMA530PZ Rev.B1

1

www.fairchildsemi.com

FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= -250μA ，V

GS

= 0V

I

D

= -250μA ，参考25 ℃下

V

DS

= –24V, V

GS

= 0V

V

GS

= ±25V, V

DS

= 0V

–30

–23

-1

±10

V

毫伏/°C的

μA

基本特征

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

ΔT

J

r

DS （ ON）

g

FS

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= –250μA

I

D

= -250μA ，参考25 ℃下

V

GS

= -10V ，我

D

= –6.8A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= –5.0A

V

GS

= -10V ，我

D

= -6.8A ，T

J

= 125°C

V

DS

= -10V ，我

D

= –6.8A

–1

–2.1

5.4

30

52

43

17

35

65

63

S

mΩ

–3

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= –15V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

805

155

130

1070

210

195

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

V

GS

= –10V

V

GS

= –5V

V

DD

= –15V

I

D

= –6.8A

V

DD

= -15V ，我

D

= –6.8A

V

GS

= ± 10V ，R

根

= 6Ω

6

21

43

31

16

9

3.1

4.5

12

34

69

50

24

11

ns

nC

漏源二极管的特性

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= –2A

I

F

= -6.8A ，的di / dt = 100A / μs的

–0.8

24

19

–2

–1.2

36

29

A

V

ns

nC

注意事项：

1:

R

θJA

是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。

一。安装在52 ° C / W

在A 1

2

2盎司纯铜垫

安装在一个时b.145 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘

2:

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

3:

连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。

FDMA530PZ Rev.B1

2

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FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

归

漏极至源极导通电阻

24

20

16

12

8

4

0

V

GS

= - 3.5V

V

GS

= - 4.5V

V

GS

= -10V

V

GS

= - 5.0V

V

GS

= - 4.0V

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

4

V

GS

= -3.5V

V

GS

= -4.0V

V

GS

= -4.5V

V

GS

= -5.0V

-

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= -10V

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

1

2

3

4

-V

DS

，漏源极电压（ V）

5

8

12

16

-ID ，漏极电流（ A）

20

24

图1.区域特征

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

-50

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

200

r

DS （ ON）

，沥去

源导通电阻

(

m

Ω

)

I

D

= -3.4A

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

归

漏极至源极导通电阻

I

D

= -6.8A

V

GS

= -10V

150

100

T

J

= 125

o

C

50

T

J

= 25

o

C

-25

0

25

50

75

100

125

150

0

T

J

，结温

(

o

C

)

2

4

6

8

-V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.归一导通电阻

VS结温

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= -5V

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

-I

S

，反向漏电流（ A）

30

V

GS

= 0V

24

-I

D

，漏电流（ A）

10

1

0.1

0.01

0.001

18

T

J

= 125

o

C

T

J

= 25

o

C

12

T

J

= 125

o

C

T

J

= -55

o

C

T

J

= 25

o

C

6

T

J

= -55

o

C

0

1

3

4

5

-V

GS

，门源电压（ V）

2

6

0.0001

0.0

0.4

0.8

1.2

-V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1.6

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

FDMA530PZ Rev.B1

3

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FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

-V

GS

，门源电压（ V）

10

8

6

4

2

0

I

D

= -6.8A

V

DD

= -10V

V

DD

= -15V

V

DD

= -20V

2000

1000

电容（pF）

C

国际空间站

C

OSS

100

50

0.1

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

C

RSS

0

3

6

9

12

Q

g

，栅极电荷（ NC）

15

18

1

10

-V

DS

，漏源极电压（ V）

20

图7.栅极电荷特性

1E-3

-ID ，漏极电流（ A）

图8.电容VS漏

至源极电压

60

-I

g

，栅极漏电流（ A）

1E-4

1E-5

1E-6

1E-7

1E-8

1E-9

0

V

GS

= 0V

r

DS （ ON）

极限

10

100us

T

J

= 125

o

C

1

V

GS

= -4.5V

θ

JA

=

145

o

1ms

10ms

100ms

1s

10s

DC

T

J

= 25

o

C

0.1

单脉冲

R

C / W

T

A

=

25

o

C

5

10

15

20

25

30

35

0.01

0.1

1

10

100

-V

GS

，门源电压（ V）

-VDS ，漏源极电压（ V）

图9.栅极泄漏电流

VS栅极至源极电压

P

(

PK

)

，瞬态峰值功率（ W）

图10.正向偏置安全

工作区

2

归热

阻抗Z

θ

JA

占空比，降序排列

150

120

90

60

30

0

-4

10

单脉冲

o

R

θ

JA

= 145℃ / W

T

A

=25 C

o

1

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

单脉冲

t

1

t

2

10

-3

10

T，脉冲宽度（ S）

-2

-1

0

1

10

2

10

3

0.01

-3

10

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

A

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

图11.单脉冲最大

功耗

图12.瞬态热

响应曲线

FDMA530PZ Rev.B1

4

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FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

外形尺寸和焊盘布局

FDMA530PZ Rev.B1

5

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FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

2007年1月

FDMA530PZ

单P沟道

-30V ， -6.8A ， 35mΩ

特点

最大

DS （ ON）

= 35mΩ在V

GS

= -10V ，我

D

= –6.8A

最大

DS （ ON）

= 65mΩ在V

GS

= -4.5V ，我

D

= –5.0A

低调 - 0.8毫米最大 - 在新的封装的MicroFET

2×2毫米

符合RoHS

的PowerTrench

tm

MOSFET

概述

该器件用于电池充电和负载而设计

蜂窝切换

手机等

超轻薄

应用程序。它具有低导通电阻的MOSFET 。

这些新产品的2x2封装提供卓越的热

对于它的物理尺寸和性能是非常适合于线性模式

应用程序。

销1

D

G

底部漏接触

漏

来源

D

G

1

6

D

S

2

5

3

4

D

S

的MicroFET 2X2 （底视图）

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

-Continuous

-Pulsed

功耗

工作和存储结温范围

（注1A ）

（注1B ）

（注1A ）

参数

评级

–30

±25

–6.8

–24

2.4

0.9

-55到+150

单位

V

A

W

°C

热特性

R

θJA

R

θJA

热阻，结到环境

（注1A ）

（注1B ）

52

145

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

530

设备

FDMA530PZ

包

2×2的MicroFET

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

2006仙童半导体公司

FDMA530PZ Rev.B的

1

www.fairchildsemi.com

FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= -250μA ，V

GS

= 0V

I

D

= -250μA ，参考25 ℃下

V

DS

= –24V, V

GS

= 0V

V

GS

= ±25V, V

DS

= 0V

–30

–23

-1

±10

V

毫伏/°C的

μA

基本特征

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

ΔT

J

r

DS （ ON）

g

FS

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= –250μA

I

D

= -250μA ，参考25 ℃下

V

GS

= -10V ，我

D

= –6.8A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= –5.0A

V

GS

= -10V ，我

D

= -6.8A ，T

J

= 125°C

V

DS

= -10V ，我

D

= –6.8A

–1

–2.1

5.4

30

52

43

17

35

65

63

S

mΩ

–3

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= –15V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

805

155

130

1070

210

195

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

V

GS

= –10V

V

GS

= –5V

V

DD

= –15V

I

D

= –6.8A

V

DD

= -15V ，我

D

= –6.8A

V

GS

= ± 10V ，R

根

= 6Ω

6

21

43

31

16

9

3.1

4.5

12

34

69

50

24

11

ns

nC

漏源二极管的特性

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= –2A

I

F

= -6.8A ，的di / dt = 100A / μs的

–0.8

24

19

–2

–1.2

36

29

A

V

ns

nC

注意事项：

1:

R

θJA

是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。

一。安装在52 ° C / W

在A 1

2

2盎司纯铜垫

安装在一个时b.145 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘

2:

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

3:

连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。

FDMA530PZ Rev.B的

2

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FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

归

漏极至源极导通电阻

24

20

-

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= - 4.5V

V

GS

= -10V

V

GS

= - 5.0V

V

GS

= - 4.0V

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

V

GS

= -10V

V

GS

= -3.5V

V

GS

= -4.0V

16

12

V

GS

= -4.5V

V

GS

= -5.0V

V

GS

= - 3.5V

8

4

0

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

1.0

0.5

0

4

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

1

2

3

4

-V

DS

，漏源极电压（ V）

5

8

12

16

-ID ，漏极电流（ A）

20

24

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

200

r

DS （ ON）

，沥去

源导通电阻

(

m

Ω

)

归

漏极至源极导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

-50

I

D

= -6.8A

V

GS

= -10V

I

D

= -3.4A

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

150

100

T

J

= 125

o

C

50

T

J

= 25

o

C

-25

0

25

50

75

100

125

150

0

2

4

6

8

-V

GS

，门源电压（ V）

10

T

J

，结温

(

o

C

)

图3.归一导通电阻

VS结温

-I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

30

24

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

10

1

0.1

0.01

0.001

V

GS

= 0V

-I

D

，漏电流（ A）

18

V

DD

= -5V

T

J

= 125

o

C

T

J

= 25

o

C

12

T

J

= 125

o

C

T

J

= -55

o

C

6

T

J

= 25

o

C

T

J

= -55

o

C

0

1

3

4

5

-V

GS

，门源电压（ V）

2

6

0.0001

0.0

0.4

0.8

1.2

-V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1.6

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

FDMA530PZ Rev.B的

3

www.fairchildsemi.com

FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

-V

GS

，门源电压（ V）

10

I

D

= -6.8A

2000

V

DD

= -10V

8

6

4

2

0

3

1000

电容（pF）

C

国际空间站

V

DD

= -15V

V

DD

= -20V

C

OSS

100

50

0.1

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

C

RSS

6

9

12

Q

g

，栅极电荷（ NC）

15

18

1

10

-V

DS

，漏源极电压（ V）

20

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

60

-ID ，漏极电流（ A）

1E-3

-I

g

，栅极漏电流（ A）

V

GS

= 0V

r

DS （ ON）

极限

1E-4

1E-5

T

J

= 125

o

C

10

100us

1E-6

1E-7

1E-8

1E-9

0

5

10

15

20

25

30

35

-V

GS

，门源电压（ V）

T

J

= 25

o

C

1

V

GS

= -4.5V

1ms

10ms

100ms

1s

10s

DC

0.1

单脉冲

R

θ

JA

=

145

o

C / W

T

A

=

25

o

C

0.01

0.1

1

10

100

-VDS ，漏源极电压（ V）

图9.栅极泄漏电流

VS栅极至源极电压

P

(

PK

)

，瞬态峰值功率（ W）

图10.正向偏置安全

工作区

2

归热

阻抗Z

θ

JA

150

120

90

60

30

0

-4

10

单脉冲

o

R

θ

JA

= 145℃ / W

T

A

=25 C

o

1

占空比，降序排列

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

0.1

t

1

单脉冲

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

A

10

-3

10

T，脉冲宽度（ S）

-2

-1

0

1

10

2

10

3

0.01

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

图11.单脉冲最大

功耗

图12.瞬态热

响应曲线

FDMA530PZ Rev.B的

4

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FDMA530PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

注意事项：

答：不完全符合JEDEC注册

MO- 229日期为AUG / 2003 。

B.尺寸以毫米为单位。

C.尺寸和公差PER

ASME Y14.5M ， 1994年

MLP06LrevA

FDMA530PZ Rev.B的

5

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