FM27C010 1,048,576位（ 128K ×8 ）高性能CMOS EPROM
2000年1月
FM27C010
1,048,576位（ 128K ×8 ）高性能
CMOS EPROM
概述
该FM27C010是一种高性能， 1048576位电
可编程紫外线擦除只读存储器。它的组织结构
为128K字的每个字节8位。其引脚兼容性字节宽
JEDEC的EPROM支持通过8兆比特的EPROM升级。
“不关心”期间的读操作功能可以让内存
扩展从1M到8M位，无印刷电路板
变化。
该FM27C010可直接替换密度较低的28引脚的EPROM
通过加入A16的地址线和V
CC
跳线。在正常
读操作PGM和V
PP
在一个“不关心”状态，
允许高阶地址，如A17 ， A18 ， A19和要
连接，而不影响正常的读出操作。这
允许在不改变硬件的内存升级到8M位。
该FM27C010还提供一个32引脚塑料DIP与
同样升级路径。
该FM27C010提供基于微处理器的系统exten-
西伯存储容量为操作系统的大部分与
应用软件。其70 ns访问时间提供无等待状态
操作高性能的CPU。该FM27C010提供
对于100％的代码存储要求的单芯片解决方案
基于固件的设备。经常使用的软件程序
很快从EPROM存储执行，极大地提高了
系统实用程序。
该FM27C010采用飞兆半导体先进的CMOS制造
AMG EPROM技术。
该FM27C010是一种高密度EPROM家庭中的一员
其范围在密度高达4兆位。
特点
I
高性能CMOS
- 70 ns访问时间
I
快速关断微处理器兼容
I
简单的升级路径
— V
PP
和PGM都在正常读“无关”
手术
I
厂商识别代码
I
快速编程
I
JEDEC标准引脚配置
- 32引脚PDIP封装
?? 32引脚PLCC封装
- 32引脚封装CERDIP
框图
V
CC
GND
V
PP
OE
CE
PGM
输出使能，
芯片使能，并
程序逻辑
数据输出
0
- O
7
产量
缓冲器
Y译码
..
1,048,576-Bit
细胞矩阵
A
0
- A
16
地址
输入
.......
X解码器
DS800032-1
2000仙童半导体公司
FM27C010
1
www.fairchildsemi.com
FM27C010 1,048,576位（ 128K ×8 ）高性能CMOS EPROM
连接图
DIP引脚配置
27C040 27C512 27C256
DIP
FM27C010
XX / V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
27C256
27C512
27C040
XX / V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
V
CC
V
CC
A
18
XX / PGM
V
CC
V
CC
A
17
XX
A
14
A
14
A
14
A
14
A
13
A
13
A
13
A
13
A
8
A
8
A
8
A
8
A
9
A
9
A
9
A
9
A
11
A
11
A
11
A
11
OE
OE / V
PP
OE
OE
A
10
A
10
A
10
A
10
CE / PGM CE / PGM CE / PGM
CE
O
7
O
7
O
7
O
7
O
6
O
6
O
6
O
6
O
5
O
5
O
5
O
5
O
4
O
4
O
4
O
4
O
3
O
3
O
3
O
3
DS800032-10
注意：
兼容EPROM的管脚配置示于邻近FM27C010销的块。
商业级温度范围
（ 0 ° C至+ 70°C ）V
CC
= 5V
±10%
参数/订单号
FM27C010 Q，V ，N 90
FM27C010 Q，V ，N 120
FM27C010 Q，V ，N 150
套餐类型： FM27C010 Q， N，V XXX
Q =石英窗陶瓷DIP封装
V = PLCC封装
N =塑料DIP封装
所有封装符合JEDEC标准。
所有版本都保证在较慢的速度下运行。
扩展级温度范围
（ -40 ° C至+ 85°C ）V
CC
= 5V
±10%
参数/订单号
FM27C010 QE ， VE ， NE 90
FM27C010 QE ， VE ， NE 120
FM27C010 QE ， VE ， NE 150
访问时间（纳秒）
90
120
150
访问时间（纳秒）
90
120
150
引脚名称
A0–A16
CE
OE
O0–O7
PGM
XX
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出
节目
不在乎（在读）
PLCC引脚CON组fi guration
A
12
A
15
A
16
XX / V
PP
V
CC
XX / PGM
XX
4
3
2
1 32 31 30
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
1
O
2
GND
O
3
O
4
O
5
O
6
顶视图
DS800032-3
2
FM27C010
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FM27C010 1,048,576位（ 128K ×8 ）高性能CMOS EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
所有输入电压除与A9
对于地面（注10 ）
V
PP
和A9的对地
V
CC
与电源电压
对于地面
ESD保护
-65 ° C至+ 150°C
所有输出电压与
对于地面（注10 ）
V
CC
+ 1.0V至GND - 0.6V
工作范围
-0.6V至+ 7V
-0.6V至+ 14V
-0.6V至+ 7V
>2000V
范围
广告
EXTENDED
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
+5V
+5V
公差
±10%
±10%
DC读取特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
I
SB2
I
CC
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
参数
输入低电平
输入高电平
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流
（ CMOS）的
V
CC
待机电流（ TTL ）
V
CC
工作电流
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入负载电流
输出漏电流
测试条件
民
-0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+1
0.4
单位
V
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -2.5毫安
CE = V
CC
±
0.3V
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
I / O = 0毫安
V
PP
= V
CC
V
CC
- 0.7
V
IN
= 5.5或GND
V
OUT
= 5.5V或GND
-1
-10
F = 5兆赫
3.5
100
1
30
10
V
CC
1
10
A
mA
mA
A
V
A
A
AC阅读特点
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
（注2 ）
t
OH
（注2 ）
参数
民
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止输出
FL燕麦
从输出保持
地址， CE或OE ，
以先发生
0
70
最大
70
70
35
30
90
民
最大
90
90
40
35
120
民
最大
120
120
50
35
150
民
最大
150
150
50
45
单位
ns
0
0
0
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1兆赫（注2 ）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值
6
10
最大
15
15
单位
pF
pF
3
FM27C010
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FM27C010 1,048,576位（ 128K ×8 ）高性能CMOS EPROM
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
= 100 pF的（注8 ）
≤5
ns
0.45V至2.4V
0.8V和2V
0.8V和2V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平
输入
输出
AC波形
（注6 ） （注7 ） ，和（注9 ）
地址
2V
0.8V
地址有效
CE
2V
0.8V
t
CF
（注4,5）
OE
0.8V
t
OE
（注3）
2V
0.8V
2V
t
CE
t
DF
（注4,5）
有效的输出
产量
高阻
t
加
（注3）
高阻
t
OH
DS800032-4
注1 ：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI- STATE
时，测得的V
OH1
（直流） - 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.1
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
1 TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
： 100 pF的包括夹具电容。
注9 ：
V
PP
可以连接到V
CC
除了在编程过程中。
注10 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
编程特性
（注11） （注12） （注13） ，和（注14）
符号
t
AS
t
OES
t
CES
t
DS
t
VPS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
参数
地址建立时间
OE建立时间
CE建立时间
数据建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
条件
民
1
1
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
OE = V
IH
1
1
1
1
0
1
CE = V
IL
0
45
50
60
105
ns
s
4
FM27C010
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FM27C010 1,048,576位（ 128K ×8 ）高性能CMOS EPROM
编程特性
（注11 ） ， （注12 ） ， （注13 ） ，和（注14 ） （续）
符号
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
数据有效的OE
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
CE = V
IL
CE = V
IL
PGM = V
IL
民
典型值
最大
100
15
20
单位
ns
mA
mA
°C
V
V
ns
20
6.2
12.5
5
25
6.5
12.75
30
6.75
13.0
0.0
2.4
0.8
0.8
4.0
0.45
V
V
2.0
2.0
V
V
编程波形
（注13 ）
注11 ：
只有飞兆半导体的标准产品保修适用于编程，这里所描述的规格的设备。
节目
地址
2V
0.8V
节目
VERIFY
地址n
t
AS
数据
2V
0.8V
数据稳定
增加N
t
AH
高阻
数据输出有效
增加N
t
DS
6.25V
t
DH
t
DF
V
CC
12.75V
t
VCS
V
PP
CE
t
VPS
0.8V
t
CES
PGM
2V
0.8V
t
PW
OE
2V
0.8V
t
OES
t
OE
DS800032-5
注12 ：
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
。在EPROM中不能插入或从板除去
电压施加到V
PP
或V
CC
.
注13 ：
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚为14V 。切换V时，必须小心
PP
供应
防止过冲超出这个14V的最大规格。至少0.1
F
电容器两端V所需
PP
, V
CC
至GND，抑制杂散电压瞬变
这可能会损坏设备。
注14 ：
在上电期间的PGM引脚必须拉高（ ≥V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
5
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